内存
作为常识来说，我们会先对这个牛肉进行解冻，然后放到一个盆子里备用。这个盆子就是内存了
RAM (random access memory)
CAS# latency (CL)内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间 CAS Column Address Strobe列地址选通脉冲
RAS# to CAS# delay (tRCD)行寻址到列寻址延迟时间
RAS （Row Address Strobe）行地址选通脉冲
RAS# Precharge (tRP)内存行地址控制器预充电时间 4
Cycle Time (tRAS)内存行有效至预充电的最短周期 12
DRAM REF Cycle Time(tRFC)SDRAM行刷新周期时间 16
SPD为Serial Presence Detect 模组存在的串行检测
PPD为Parallel Presence Detect 模组存在的并行检测
JEDEC timings table CL-tRCD-tRP-tRAS-tRFC @ frequency
JEDEC #1 3.0-3-3-9-12 @ 200 MHz
JEDEC #2 4.0-4-4-12-16 @ 266 MHz
JEDEC #3 5.0-5-5-15-20 @ 333 MHz
一个完整的内存时序(例)：7-7-7-20-4-89-10-7-20-0 1T，接下来按顺序对应一一介绍。
1.DRAM CAS Latency(tCL)：内存CAS Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数 通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。
2.DRAM RAS to CAS Delay(tRCD)：行寻址到列寻址延迟时间，该参数设置也对内存带宽影响较大，数值越小性能越好，保守设置通常是7-9。
3.DRAM RAS PRE Time(tRP)：内存行地址控制器预充电时间，该参数设置对内存带宽影响较大，数值数值越小性能越好，保守设置通常是7-9，该数值通常可设置为比DRAM RAS to CAS Delay少1个数值。
4.DRAM RAS ACT Time(tRAS)：内存行有效至预充电的最短周期，该数值对内存带宽有微弱的影响，保守设置通常为20-24。
5.DRAM RAS to RAS Delay(tRRD)：行单元到行单元的延时，该数值越小越好，建议设置为5-7。
6.DRAM REF Cycle Time(tRFC)：SDRAM行刷新周期时间，该数值对内存带宽影响较大，通常设置为60，放宽该参数可适当提升内存超频频率，如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率是，建议该数值放宽到88或以上。
7.DRAM WRITE Recovery Time(tWR):写恢复延时，该数值轻微影响内存带宽，通常该参数设置8-12左右即可。
8.DRAM READ to PRE Time(tRTP)：内存预充电时间，通常设置8-12之间。
9.DRAM FOUR ACT WIN Time(tFAW)：该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。
10.DRAM Back-To-Back CAS Delay：该数值越小内存性能越好，通常设置为Auto即可，手动设置建议4-6之间。
11.DRAM Timing Mode：内存首命令延迟设定用选项，对内存性能影响较大，放宽到2N(2T)可适当提升内存超频频率，通常设置为1N(1T)。
-1T拥有较少的延迟，较佳的系统内存效能。却较差的兼容性。
-2T拥有较久的延迟、差很多的系统内存较能。较高的兼容性、稳定性。推荐将内存设定为1T能让内存达到最佳效能。
12.对于BIOS中内存时序部分未提及的几项参数，一般设为AUTO即可。
Unbuffered-DIMM Non-ECC Memory DDR3 1333 240pin
Unbuffered-DIMM Non-ECC Memory
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM）电可擦写可编程只读存贮器
JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准，积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员，并且是JEDEC的理事会成员
内存外观时候看到的标贴。标贴上一般会告诉我们产品参数、产品品牌、料号（P/N）、产品编号（S/N）等信息。
SDRAM、DDR和DDR2的总线位宽为64位，RDRAM位宽为16位。
计算前端总线带宽的公式（带宽＝位宽×频率÷8），这个公式对于计算内存带宽同样适用。
直观法：内存代数（DDR2）、内存容量（512MB）、等效频率（800MHz）
位宽延迟法：“1GB PC2-5300 CL5 240-Pin DIMM” PC2表示DDR2的意思，如果是PC则表示DDR，PC后面的数字代表内存是第几代；5300就是指的内存带宽为5.3GB/s，等效频率就等于667MHz
内 存颗粒法：“DDR2 800（5）512M×16” “512M×16”是与它们不同的。“512M”说明这条内存的内存颗粒是512Mb（注意是b）的规格，也就是每一颗内存颗粒是64MB的容 量，“×16”说明这条内存有16颗这样的内存颗粒，64MB×16＝1024MB就说明这条内存的总容量为1GB。
第一个数字最为重要，表示读 取命令到第一个输出数据之间的延迟，即CL。这是纵向地址脉冲的反应时间。第二个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间，即tRCD。第三个数字表示内 存行地址控制器预充电时间，即tRP，指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。第四个数字表示内存行地址控制器激活时间（tRAS）。