压控压型。。。栅极电容效应
抄选至WeekendLab.
基础知识:
增强型MOSFET......通道先是断开的
VT = 2 T:threshold 阈值.. pirch off
MOSFET注意:
体二极管?
拿N通道耗尽型MOSFET举例...衬底与S角相连,,,,就可以看出有一个从S点到D点的PN结了...
N是高掺杂浓度,,,就会有可能出现,稳压二极管,,还可以有效抵御串扰...
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做了个模拟:VGS电压在0到-10之间控制开启关断...效果也是非常明显的
查看了BSP304的DATASHEET
可以看出，在DS出最高可以接多少V的电压,GS的电压最大是多少
VGSTH,threshold 的电压
ID：可流过的电流...Continuous连续的
RDS（on）的多少可以计算出该MOSFET的功耗
开关时间，在设计中也是非常重要的...
还有在设计中要注意体二极管的作用....
可以深入分析数据手册https://wenku.baidu.com/view/65942efb4693daef5ef73d42.html
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DS之间等效成一个可变电阻,电阻关断期间，阻值无穷大.
在开通期间，则阻值非常小(毫欧)
注意场效应管内二极管
一.源、回路、阻抗
二波形整形的过程
三datasheet电器特性
datasheet
在VGS=10V,ID-6A时的典型，RDS（on）=550毫欧
VDSS：D到S的电压
VGSS：G到S的电压
ID：电流...Continuous连续的
IDM;pulse脉冲，峰值，瞬间可承受的
PD.损失功率
Off Characteristics:截止特性
On Characteristics：开通特性
Dynamic Characteristics:动态特性...电容、电荷
Switching Characteristics:开关特性
