P型半导体
在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。在P型半导体中，空穴为多字，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，空穴的浓度就越大，导电性就越强。
N型半导体
在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷， 使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N 型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故自由电子为多子，空穴为少子。如下图：
PN结的形成
把N型和P型半导体制作在一起时，必定存在扩散运动。N区的自由电子向P区扩散，P区空穴向N区扩散。由于扩散到P区的自由电子与空穴复合，扩散到N去的空穴与自由电子复合，所以在交界面附近多子的浓度下降，P区出现负离子区，N区出现正离子区，他们是不能移动的。称为空间电荷区，也叫耗尽层，从而形成了内电场。随着扩散运动的进行，空间电荷区家宽，内电场增强，其方向有N指向P，正好阻止扩撒运动的进行。如下图：
