引言
IR2110 / IR2113是高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达500或600伏。
一、关键参数
1.1 IR2110关键参数
根据上面参数可知，IR2110驱动的功率开关管最高可以工作在500V电压下，IR2113驱动的功率开关管最高可以工作在600V电压下。
二、器件特征
2.1 IR2110/IR2113的特征
该器件专门用于驱动类似于半桥结构的自举驱动；驱动输出电压范围为10-20V，可以应用于大多数IGBT和MOSFET驱动。具备低压锁存功能；宽供电范围（3.3V-20V）；输入输出同相位。
2.2 IR2110/IR2113框图
图2-1 IR2110/IR2113功能框图（Functional Block Diagram
2.3 引脚功能说明
2.4 工作时序图
图2-2 输入输出时序图
如图所示当SD为高电平时，无论输入HIN(LIN)的电平如何变化，输出HO(LO)均为低电平，所以在具体使用的时候可以通过控制SD引脚来实现封波控制。当SD为高电平时，输入HIN(LIN)和输出HO(LO)同向变化。
2.5 手册波形解读
2.5.1 开关时间波形
图2-3开关时间波形
该波形图反应了IR2110开关时候输入与输出电平变化的延迟。ton为开通传播演示，定义为输入电平上升到50%到输出变化到10%之间的传播时间；tr为开通上升时间，定义为输出从10%上升到90%所使用的时间；toff为关断传播时间，tf为关断延迟时间。
ton、toff均与温度、供电电压VDD、VCC/VBC供电电压有关。tf、tr仅与温度和供电电压有关。相关性如下图所示。
ton变化曲线
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ton与温度的变化关系 |
ton与VCC/VBS供电电压的关系 |
ton与VDD供电电压的关系 |
图2-4 ton变化曲线
toff变化曲线
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toff与温度的关系 |
toff与VCC/VBS的供电电压的关系 |
toff与VDD的供电电压的关系 |
图2-5 toff变化曲线
tr变化曲线
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tr与温度的关系 |
tr与VCC/VBS的供电电压的关系 |
图2-6 tr变化曲线
tf变化曲线
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tf与温度的关系 |
tf与VCC/VBS的供电电压的关系 |
2.5.2 封波锁存波形图2-7 tf变化曲线
图2-8 封波锁存
封波传输延迟时间tsd定义为SD信号的50%到输出信号的90%之间的时间。tsd与温度，VDD，VCC/VBS之间的关系如图2-9所示。
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tsd 与温度的关系 |
tsd与VCC/VBS供电电压的关系 |
tsd与VDD电压的关系 |
图2-9 tsd变化曲线
延迟匹配波形MT为LO和HO同时由低变高10%处对应的时间延迟或者由高到低90%处对应的时间延迟
图2-10 延迟匹配波形