STM32F10xxx_启动模式
更新记录
| version | status | description | date | author |
|---|---|---|---|---|
| V1.0 | C | Create Document | 2018.10.15 | John Wan |
status:
C―― Create，
A—— Add，
M—— Modify，
D—— Delete。
启动配置
在STM32F10xxx里，可以通过BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式。
| BOOT1 | BOOT0 | 启动模式 | 说明 |
|---|---|---|---|
| X | 0 | 主闪存存储器 | 主闪存存储器被选为启动区域 |
| 0 | 1 | 系统存储器 | 系统存储器被选为启动区域 |
| 1 | 1 | 内置SRAM | 内置SRAM被选为启动区域 |
在系统复位后，SYSCLK的第4个上升沿，BOOT引脚的值将被锁存。用户可以通过设置BOOT1和BOOT0引脚的状态，来选择在复位后的启动模式。
在从待机模式退出时，BOOT引脚的值将被被重新锁存；因此，在待机模式下BOOT引脚应保持为需要的启动配置。在启动延迟之后，CPU从地址0x0000 0000获取堆栈顶的地址，并从启动存储器的0x0000 0004指示的地址开始执行代码。
因为固定的存储器映像，代码区始终从地址0x0000 0000开始(通过ICode和DCode总线访问)， 而数据区(SRAM)始终从地址0x2000 0000开始(通过系统总线访问)。Cortex-M3的CPU始终从ICode总线获取复位向量， 即启动仅适合于从代码区开始(典型地从Flash启动)。STM32F10xxx微控制器实现了一个特殊的机制，系统可以不仅仅从Flash存储器或系统存储器启动，还可以从内置SRAM启动。
根据选定的启动模式，主闪存存储器、系统存储器或SRAM可以按照以下方式访问：
- 从主闪存存储器启动：主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它，即闪存存储器的内容可以在两个地址区域访问，0x0000 0000或0x0800 0000。
- 从系统存储器启动：系统存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(互联型产品原有地址为0x1FFF B000，其它产品原有地址为0x1FFF F000)访问它。
- 从内置SRAM启动：只能在0x2000 0000开始的地址区访问SRAM。
注：各启动方式地址的由来参考《ARM Cortex-M3与Cortex-M4权威指南CnR3》第六章存储器系统P135页 存储器地址的划分。
注意： 当从内置SRAM启动，在应用程序的初始化代码中，必须使用NVIC的异常表和偏移寄存器，从新映射向量表之SRAM中。
注意：三种启动方式，在第一和第二是不需要映射向量表的，地址0x0000 0000默认已有向量表。如果不是在此地址开始执行，则都需要映射向量表。
内嵌的自举程序 内嵌的自举程序存放在系统存储区，由ST在生产线上写入，用于通过可用的串行接口对闪存存储器进行重新编程：
- 对于小容量、中容量和大容量的产品而言，可以通过USART1接口启用自举程序。进一步的细节请查询AN2606。
- 对于互联型产品而言，可以通过以下某个接口启用自举程序：USART1、USART2(重映像的)、CAN2(重映像的)或USB OTG全速接口的设备模式(通过设备固件更新DFU协议)。 USART接口依靠内部8MHz振荡器(HSI)运行。CAN和USB OTG接口只能当外部有一个8MHz、14.7456MHz或25MHz时钟(HSE)时运行。进一步的细节请查询AN2606。
参考：
《STM32F10xxx参考手册》 P33 2.4节启动配置。
《ARM Cortex-M3与Cortex-M4权威指南CnR3》第六章存储器系统P135页