2.内部存储区
(1) 内部ROM 0x0800_0000~0x0BFF_FFFF
(2) 内部SRAM 0x0C00_0000~0x0FFF_FFFF
3.静态存储区 0x1000_0000~0x3FFF_FFFF
4.动态存储区 0x4000_0000~0x6FFF_FFFF
S3C6410的物理内存分成Memory和Pheriperal两部分，地址范围分别为0x0~0x6fffffff和0x7fffffff。系统通过SPINE总线访问Memory空间，通过PERI总线访问Pheriperal空间。而为了适应不同外设的访问速度，又分别通过AHB总线访问LCD、Camera、Accelerator等高速外设，通过APB总线访问iic、watchdog等低速外设。
3.2内存
Memory，又叫主内存，分为4大区域，分别是启动镜像区、内部内存区、静态内存区、动态内存区。
启动镜像区物理地址为0x00000000~0x07ffffff，共128MB。这个区域的作用正如它的名字所述，是用来启动系统的。但是这个范围内并没有实际的存储介质与之对应，只能在通过OM[4:0]选择具体的启动介质后再把相应介质的物理地址映射到这个启动区，比如说选择了IROM启动方式后，就把IROM所占的地址空间映射为0x00000000开始的空间。
内部内存区物理地址为0x08000000~0x0fffffff，共128MB。这个区域对应着内部的内存地址，内部的ROM和SRAM都是分布在这个
区间。其中，0x08000000~0x0bffffff对应着内部ROM，当然实际上内部的ROM也并没有64MB这么多，只有32KB是有实际存储介
质的，这32KB是一个只读区，放的是IROM方式下的启动代码，选择IROM启动的时候首先运行的
代码就是这一部分，称为BL0，这部分代码由厂家固化。0x0c000000~0x0fffffff对应内部SRAM，实际可用的SRAM按照三星的手册
是4KB，其实这就是用于nand
flash启动的Steppingstone（但是这个Steppingstone是8KB，这2者似乎有矛盾，不知道是不是我的理解不对）。
静态内存区物理地址为0x10000000~0x3fffffff，共6*128MB。这个区域用于访问挂在外部总线上的设备，比如说SRAM、NOR
flash、oneNand等。这个区域被分割为6个bank，每个bank为128MB，数据宽度最大支持16bit，每个bank通过Xm0CS[5:0]来划定。和S3C2410不
一样的是，bank2~bank5能映射到nand
flash、CF等非线性存储器，这并不是说可以通过bank2~bank5的地址段就能直接访问nand
flash、CF内部的地址，相反，当映射到这些器件的时候这些bank的地址也不能再使用了，访问这些非线性存储器还是得通过Pheriperal空间
的AHB总线进行，和S3C2410中的访问方式是一样的。不过有一个特例是，当Xm0CS2被映射到nand
flash的时候，Steppingstone的4KB（or 8K？）SRAM被映射到bank2开始的4KB，而在以nand
flash方式启动的时候bank2被映射到0x00000000开始的地方，实际上就是把Steppingstone映射到0x0000000了，这和S3C2410的情况还是相似的。
动态内存区物理地址为0x40000000~0x6fffffff，共3*256MB。其中第一个256MB为保留区，实际使用的动态内存区为0x50000000~0x6fffffff，又分为2个区间，分别占256MB，可以通过DMC的Xm1CS[1:0]来进行着2个区间的选择。这个内
存区主要是扩展DRAM，最大可以扩展512MB的DRAM。