在超声波发生电路中我们提到栅极驱动变压器的制作方法，这里讲栅极驱动。什么是栅极驱动，说白了就是MOSFET的G极的驱动，栅极用PWM方波驱动，但是会形成RLC振荡电路，原因是电容是寄生的，电感受布线影响较大，但是也属于寄生电感的范畴，这样输入会形成LC振荡，导致MOSFET各种打开关闭，很容易烧毁MOSFET。
我们采用的方案是，优化布线，减小寄生电感，在此基础之上串联更大的电阻，可以减小振荡，但是也削弱了驱动能力。
下图是我们提供的方波驱动，在电路模拟中携带了很大的振荡，会烧毁MOSFET。这个图中提到一个公式R<平方根L/C，这是一个阻尼公式，当R小于的时候欠阻尼，当R大于的时候过阻尼；
具体看看视频就知道了！http://3g.163.com/v/video/VK58H9T93.html
用TC4420做栅极驱动芯片（TC4429是输出和TC4420反相），电路图：
捎带认识一下双向稳压二极管也就是图中的D3
几种常见的场管驱动电路，如图：
左上的电路是用PWM芯片3842、3842直接驱动，右上图电源芯片的驱动能力不足以驱动IGBT大功率，增加了图腾柱推挽方式增强驱动能力，左下增强了寄生电容的放电能力，右下也增强了寄生电容的放电能力，但是右下图的好处是直接放电给了地，而左下图放电给了IC芯片，对芯片不好！
下面有一篇引用的博客（内容同上）：
关于MOS管驱动电路的设计
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：
开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
驱动电路结构简单可靠、损耗小。
根据情况施加隔离。
下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。
1、电源IC直接驱动MOSFET
图1 IC直接驱动MOSFET
电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图 1中Rg减小，也不能解决问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。
2、电源IC驱动能力不足时
如果选择MOS管寄生电容比较大，电源IC内部的驱动能力又不足时，需要在驱动电路上增强驱动能力，常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力，其电路如图 2虚线框所示。
图2图腾柱驱动MOS
这种驱动电路作用在于，提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
3、驱动电路加速MOS管关断时间
图3加速MOS关断
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图3所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。
图4改进型加速MOS关断
在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时，对图 2中电路改进可以加速MOS管关断时间，得到如图 4所示电路。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。与图3拓扑相比较，还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。
4、驱动电路加速MOS管关断时间
图5隔离驱动
为了满足如图 5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。
除了以上驱动电路之外，还有很多其它形式的驱动电路。对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的，只有结合具体应用，选择最合适的驱动。在设计电源时，有上述几个角度出发考虑如何设计MOS管的驱动电路，如果选用成品电源，不管是模块电源、普通开关电源、电源适配器等，这部分的工作一般都由电源设计厂家完成。
除了以上驱动电路之外，还有很多其它形式的驱动电路。对于各种各样的驱动电路并没有一种驱动电路是最好的，只有结合具体应用，选择最合适的驱动。
一个经典的，很多人用的H桥驱动电路：
上图中备注三极管换成场管，原因是三极管有0.7伏特的压降，而场效应管基本没有；
下面链接这位仁兄有很多失败的教训，写的很好，可以参考一下：http://bbs.elecfans.com/jishu_1590124_1_1.html
下面是IR2103的栅极驱动电路：
