Nandflash是IO设备，数据、地址、控制线都是共用的。须要软件区控制读取时序，
所以不能像nor flash、内存一样随机訪问。不能EIP（片上执行），因此不能直接作为boot。
S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动，由于在S3C2440里有一个内置的SRAM，
叫做stepping stone(垫脚石，非常形象…)，系统启动加电后，
会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行，这样就实现了从nandflash启动。
2、norflash
Norflash的有自己的地址线和数据线，能够採用类似于memory的随机訪问方式，
在norflash上能够直接执行程序，所以norflash能够直接用来做boot。
norflash适合做代码存储并EIP的。nandflash适合用来作大量数据存储的。
norflash的读取速度比nandflash稍快。但擦写速度比nandflash慢非常多。
3、ram
“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。
存储单元的内容可按需任意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
所谓“随机存取”。指的是当存储器中的数据被读取或写入时，
所须要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。
相对的，读取或写入顺序訪问（Sequential Access）存储设备中的信息时，
其所须要的时间与位置就会有关系。
4、sram
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有精巧存取功能的内存，静态随机存取存储器採取多重晶体管设计，
不须要刷新电路即能保存它内部存储的数据，特点为高性能、低集成度、速度快、体积较大。
5、dram
DRAM动态随机存取存储器中每一个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，
每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
6、rom
rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。
后来出现了prom，能够自己写入一次，要是写错了，仅仅能再换一片。
后来又出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下。
7、eeprom
电可擦除可编程仅仅读存储器”。即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，
是相对于紫外擦除的rom来讲的。
8、flash
flash属于广义的EEPROM，由于它也是电擦除的rom。
可是为了差别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM。我们都叫它flash。
flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位。
flash分为nor flash和nand flash。
norflash数据线和地址线分开，能够实现ram一样的随机寻址功能。
能够读取不论什么一个字节。可是擦除仍要按块来擦。
nandflash相同是按块擦除，可是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。
读取仅仅能按页来读取。
（nandflash按块来擦除，按页来读，norflash没有页）