DRAM & SRAM
1.DRAM
1.1全程
Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器，是一种半导体存储器
1.2主要作用
利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit（1 or 0）
1.3特性
晶体管有漏电现象，这会导致电容上存储的电荷数量不足以正确的判别数据，从而导致数据损毁；
因而周期性的充电是一个不可避免的条件，即需要定时刷新，否则内部的数据会消失，因此被称为动态存储器。
2.SRAM
2.1全程
Static Random Access Memory，即静态随机存取存储器
2.2特性
1）用晶体管存储数据，只要保持通电，存储的数据就可以一直保持，当电力供应停止时，SRAM存储的数据会消失（这与断电后还能存储数据的ROM和闪存是不同的）
2）SRAM具有更高的性能，但是集成度低
3）相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，而SRAM则需要更大的体积（同等面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵）
2.3主要用途
主要用于二级高速缓存，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存
异步SRAM适用于小型cache的嵌入式处理器的主内存
集成于芯片内，用于微处理器的cache，RAM；作为寄存器等
3.小结
1）DRAM用于内存较多，SRAM用于cache较多，因为内存追求容量，cache追求速度
2）SRAM存储1比特需要6个晶体管，而DRAM只需要一个电容和一个晶体管，即SRAM功耗较大，相同面积的硅片，DRAM的容量更大
3）SRAM具有较高的性能