随机存取存储器（RAM / ř æ 米 /）是一种形式的计算机存储器可被读取和以任何顺序发生变化，通常用于存储工作数据和机器代码。[1] [2]甲随机存取存储器设备允许数据项被读出或写入在几乎相同的时间量，而不管存储器内数据的物理位置的。相反，对于其他直接访问数据存储介质，例如硬盘，CD-RW，DVD-RW和较旧的磁带和磁鼓存储器一样，由于机械限制（例如介质的转速和臂的移动），读写数据项所需的时间根据其在记录介质上的物理位置而有很大不同。
RAM包含多路复用和多路分解电路，用于将数据线连接到寻址的存储器，以读取或写入条目。通常，同一地址访问的存储空间不止一位，而RAM设备通常具有多条数据线，并且被称为“ 8位”或“ 16位”等设备。
在当今的技术中，随机存取存储器采用具有MOS（金属氧化物半导体）存储单元的集成电路（IC）芯片的形式。RAM通常与易失性类型的内存（例如动态随机存取存储器（DRAM）模块）相关联，尽管已经开发了非易失性RAM，但如果断电，则会丢失存储的信息。[3]存在其他类型的非易失性存储器，它们允许对读取操作进行随机访问，但不允许写入操作或对其具有其他种类的限制。其中包括大多数类型的ROM和一种闪存称为NOR-Flash。
易失性随机存取半导体存储器的两种主要类型是静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。半导体RAM的商业用途可以追溯到1965年，当时IBM为他们的System / 360 Model 95计算机引入了SP95 SRAM芯片，而东芝则为其Toscal BC-1411 电子计算器使用了DRAM存储单元，两者均基于双极晶体管。基于MOS晶体管的商用MOS存储器是在1960年代后期开发的，此后一直是所有商用半导体存储器的基础。1970年10月推出了第一款商用DRAM IC芯片Intel 1103。同步动态随机存取存储器（SDRAM）后来于1992年与三星 KM48SL2000芯片一起首次亮相。