K9F2G08U0A没有地址或数据总线，只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。NandFlash的存储单元是由Block组成的，Block又是由Page组成的，数据就是存储在Page上。K9F2G08U0A的总容量是256M，由图可以看出，它一共有2048块，每一块有64页，每一页有（2K+64）Bytes。每一页又分为main区和spare区，2K就是指main区，64就是指spare区。
2K是指每一页上存放数据的有效空间，64是指每一页附加的空间，它不能用来存放我们写入的数据，它主要是用来存放ECC校验和坏块标记的信息数据。NandFlash是以页（Page）为最小单位进行读写的，以块（Block）为最小单位进行擦除的，也就是说当我们给定了读取的起始位置后，读操作将从该位置开始，连续读取到本Page的最后一个 Byte为止。
K9F2G08U0A是用5个周期来实现，由于NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位 ，即页内偏移地址
Page Address ：页地址
Block Address ：块地址
K9F2G08U0A的每一页有（2K+64）=2112Byte，2112byte 需要12bit来表示，对于2112byte系列的NAND，这2112byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[11:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，因为以块为单位擦除。64个page需要6bit来表示，占用A[17:12]，即该page在块 内的相对地址，也就是确定位于哪一页。A11这一位地址被用来设置2048byte的1st half page还是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A18以上的bit来表示，也就是确定位于哪一块。用A[0:28]这29位，就可以将 K9F2G08U0A这256M的数据存储空间全部访问到。2的29次方是2GBit,256MByte=2GBit。NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。 由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 以K9F2G08U0A 为例： 第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上。 第2 步就是将NAND_ADDR 右移8位，将NAND_ADDR[11:8]传到I/O[7:0]上； 第3 步将NAND_ADDR[19:12]放到I/O上； 第4步需要将NAND_ADDR[27：20]放到I/O上；第5步需要将 NAND_ADDR[28]放到I/O上；，整个地址传递过程需要5步才能完成。
举例：
我们要访问其中的第1500个块中的第25页中的1208字节处的地址，此时，我们就要先把具体的地址算出来：物理地址=块大小×块号+页大小×页号+页内地址=1500×128K+25×2K+1208=0xBB8CCB8（196660408）
0xBB8CCB8 = 0000 1011 1011 1000 1100 1100 1011 1000
B B 8 C C B 8
第一个周期：A[0:7] 也就是B8
第二个周期：A[8:11] 取四位 1100， 再添4位0，也就是0000 1100 即0C
第三个周期：A[12:19] 取八位 1000 1100 即8C
第四个周期：A[20:27] 取八位 1011 1011 即BB
第五个周期：A[28] 取一位 0，补齐八位 即 0000 0000 也就是00
再往回分析，NandFlash收到前两个周期的地址A[0:11] 也就是0CB8，即 1100 1011 1000，分析：A[10:0]= 100 1011 1000=1208， 表示第1208个Byte
收到后三个周期后，即 0000 0000 1011 1011 1000 1100，A[16:11]=011001=25，表示第25页
0000 0000 1011 1011 100 处理后为 0101 1101 1100 =1500，表示第1500块
为了方便使用，我们宏定义了K9F2G08U0A的常用命令
#define CMD_READ1 0x00 //页读命令周期1
#define CMD_READ2 0x30 //页读命令周期2
#define CMD_READID 0x90 //读ID命令
#define CMD_WRITE1 0x80 //页写命令周期1
#define CMD_WRITE2 0x10 //页写命令周期2
#define CMD_ERASE1 0x60 //块擦除命令周期1
#define CMD_ERASE2 0xd0 //块擦除命令周期2
#define CMD_STATUS 0x70 //读状态命令
#define CMD_RESET 0xff //复位
#define CMD_RANDOMREAD1 0x05 //随意读命令周期1
#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0 //随意读命令周期2
#define CMD_RANDOMWRITE 0x85 //随意写命令
Nand Flash控制器的寄存器主要有NFCONF（Nand Flash配置寄存器），NFCONT（Nand Flash控制寄存器），NFCMMD（Nand Flash命令集寄存器），NFADDR（Nand Flash地址集寄存器），NFDATA（Nand Flash数据寄存器），NFMECCD0/1（Nand Flash的main区ECC寄存器），NFSECCD（Nand Flash的spare区ECC寄存器），NFSTAT（Nand Flash操作状态寄存器），NFESTAT0/1（Nand Flash的ECC状态寄存器），NFMECC0/1（Nand Flash用于数据的ECC寄存器），以及NFSECC（Nand Flash用于IO的ECC寄存器）。
（1）NFCONF:2440的NFCONF寄存器是用来设置NAND Flash的时序参数TACLS、TWRPH0、TWRPH1。配置寄存器的[3:0]是只读位，用来指示外部所接的Nand Flash的配置信息，它们是由配置引脚NCON，GPG13，GPG14和GPG15所决定的（比如说K9F2G08U0A的配置为NCON、 GPG13和GPG14接高电平，GPG15接低电平，所以[3:0]位状态应该是1110）。
（2）NFCONT：用来使能/禁止NAND Flash控制器、使能/禁止控制引脚信号nFCE、初始化ECC。它还有其他功能，在一般的应用中用不到，比如锁定NAND Flash。
（3）NFCMMD：对于不同型号的Flash，操作命令一般不一样。参考前面介绍的K9F2G08U0A命令序列。
（4）NFADDR:当写这个寄存器时，它将对Flash发出地址信号。只用到低8位来传输，所以需要分次来写入一个完整的32位地址，K9F2G08U0A的地址序列在图4已经做了详细说明。
（5）NFDATA:只用到低8位，读、写此寄存器将启动对NAND Flash的读数据、写数据操作。
（6）NFSTAT:只用到位0，用来检测NAND是否准备好。0：busy，1：ready。
接下来就可以看Nand Flash的基本操作程序了。