NAND FLASH的接线方式和NOR FLASH,SDRAM都不一样。以TQ2440开发板用的K9F1208为例，分析NAND FLASH的接线方式。
K9F1208结构如下图：
K9F1208位宽是8位。
一页： 512byte + 16byte 最后16byte是用于存储校验码和其他信息用的，不能存放实际的数据。
一个块有32 page：（16k+512）byte
K9F1208有4096个块：(64M+2M)byte，总共有64Mbyte可操作的芯片容量
NAND FLASH以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据。
S3C24440和K9F1208的接线图如下：
下图是S3C2440的NAND FLASH引脚配置：
当选定一个NAND FLASH的型号后，要根据选定的NAND FLASH来确定S3C2440的NCON,GPG13,GPG14,GPG15的状态。
下图是S3C2440中4个脚位状态的定义：
K9F1208的一页是512byte，所以NCON接低电平，GPG13接高电平。
K9F1208需要4个寻址命令，所以GPG14接高电平
K9F1208的位宽是8，所以GPG15接低电平。
NAND FLASH寻址
对K9F1208来说，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。
地址传递分为4步，如下图：
第1步发送列地址，既选中一页512BYTE中的一个字节。512byte需要9bit来选择，这里只用了A0-A7，原因是把一页分成了2部分，每部分256字节。通过发送的读命令字来确定是读的前256字节还是后256字节。
当要读取的起始地址（Column Address）在0~255内时我们用00h命令，当读取的起始地址是在256~511时，则使用01h命令。
一个块有32页，用A9-A13共5位来选择一个块中的某个页。
总共有4096个块，用A14-A25共12位来选择一个块。
K9F1208总共有64Mbyte，需要A0-A25共26个地址位。
例如要读NAND FLASH的第5000字节开始的内容。把5000分解成列地址和行地址。
Column_address = 5000%512 = 392
Page_address = (5000>>9) = 9
因为column_address>255,所以用01h命令读
发送命令和参数的顺序是：
NFCMMD = 0x01;从后256字节开始读
NFADDR = column_address & 0xff;取column_address的低8位送到数据线
NFADDR = page_address & 0xff;发送A9-A16
NFADDR = (page_address >>8) & 0xff; 发送A17-A24
NFADDR = (page_address >> 16) & 0xff;发送A25
上面的NFCMMD,NFADDR.是S3C2440的NAND FLASH控制寄存器。读取的数据会放在NFDATA中。