• 计算机组成原理(上)第4章 测试(上)


    1、单选(1分)
    ___层次主要解决了CPU和主存速度不匹配的问题。

    A.缓存-主存
    B.CPU-辅存
    C.无正确答案
    D.主存-辅存

    正确答案:A你选对了
    2、单选(1分)
    某一静态RAM芯片,其容量为1K×4位,除电源和接地端外,该芯片引出线的最少数目为:

    A.14
    B.12
    C.10
    D.16

    正确答案:D你选对了
    3、单选(1分)
    DRAM存储器主要通过___来存储信息。

    A.磁介质
    B.寄存器
    C.电容
    D.触发器

    正确答案:C你选对了
    4、单选(1分)
    随机存储器按其存储信息的原理不同,可以分为静态RAM和动态RAM两大类。

    下图是静态RAM芯片Interl2114的外特征示意图。图中,A9A0为地址输入端;I/01I/O4为数据输入/输出端;CS为片选信号(低电平有效);WE为写允许信(低电平为写,高电平为读);Vcc为电源端;GND为接地端。

    由Intel2114的外特征图,我们可知其存储容量为____
    在这里插入图片描述

    A.2K × 4位
    B.1K × 4字节
    C.1K×4 位
    D.1K × 10位

    正确答案:C你选对了
    5、单选(1分)
    随机存储器按其存储信息的原理不同,可以分为静态RAM和动态RAM两大类。

    动态RAM基础电路有三管式和单管式两种,它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”,电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失。为此,必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态,这个过程称为再生或刷新。

    动态RAM的刷新有集中刷新,分散刷新,异步刷新之分。集中刷新是在规定的一个刷新周期内,对全部单元集中一段时间逐行进行刷新,刷新时必须停止读/写操作。在一个刷新周期内不能进行读/写操作的时间称为“死时间”,又称为“死区”,其所占的比率称为“死时间率”。

    某动态RAM的刷新时间分配示意图如下,它的刷新方式为_____,死时间率是____
    在这里插入图片描述

    A.分散刷新、3.2%
    B.集中刷新、3.2%
    C.集中刷新、1.2%
    D.异步刷新、1.2%

    正确答案:B你选对了
    6、单选(1分)
    下列说法错误的是___

    A.地址线和数据线的位数共同反映存储芯片的容量
    B.控制线主要有读/写控制线与片选线两种
    C.数据显示双向的,其位数与芯片可读出或写入的数据位数有关
    D.地址线是双向输入的,其位数与芯片容量有关

    正确答案:D你选对了
    7、单选(1分)
    下列选项中,一般不属于CPU与主存间连线的是___

    A.读写控制线
    B.数据总线
    C.地址总线
    D.扩展总线

    正确答案:D你选对了
    8、单选(1分)
    某存储器容量为32K*16位,则___

    A.地址线为16根,数据线为32根
    B.地址线为16根,数据线为15根
    C.地址线为32根,数据线为16根
    D.地址线为15根,数据线为16根

    正确答案:D你选对了
    9、单选(1分)
    和辅存相比,主存的特点是___

    A.容量小,速度快,成本低
    B.容量大,速度快,成本高
    C.容量大,速度快,成本低
    D.容量小,速度快,成本高

    正确答案:D你选对了
    10、多选(2分)
    为了提高存储器的带宽,可以采用的方式有___

    A.缩短存储周期
    B.增长存储周期
    C.增加存储字长
    D.增加存储体

    正确答案:A、C、D你选对了
    11、多选(2分)
    与动态RAM相比,静态RAM的特点有___

    A.芯片引脚多
    B.速度快
    C.位价高
    D.功耗大

    正确答案:A、B、C、D你选对了
    12、多选(2分)
    下列关于半导体存储器的特点说法正确的是___

    A.具有非易失性
    B.存取时间长
    C.存取时间短
    D.体积小
    正确答案:C、D你选对了


    1、单选(1分)
    存储字长都取___。

    A.8的倍数
    B.8
    C.无限制
    D.2 的倍数(如2,4,6…)

    正确答案:A你选对了
    2、单选(1分)
    半导体存储芯片的译码驱动方式有两种___

    A.线选法和重合法
    B.线选法和片选法
    C.片选法和重合法
    D.线选法和复用法

    正确答案:A你选对了
    3、单选(1分)
    下列说法错误的是

    A.动态RAM的速度比静态RAM的速度低
    B.动态RAM行、列地址按先后顺序输送,减少了芯片引脚,封装尺寸也减少
    C.静态RAM的价格比动态RAM的价格高
    D.动态RAM的集成度低于静态RAM的集成度

    正确答案:D你没选择任何选项
    4、单选(1分)
    下列存储器中,CPU不能直接访问的是___

    A.寄存器
    B.RAM
    C.Cache
    D.硬盘

    正确答案:D你选对了
    5、单选(1分)
    DRAM的刷新方式,是以____为单位进行的。

    A.存储单元
    B.列
    C.行
    D.行或者列

    正确答案:C你选对了
    6、单选(1分)
    下列关于主存存取速度说法错误的是

    A.存取时间又称为存储器的访问时间,是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的全部时间
    B.存取周期(Memory Cycle Time)是指存储器进行连续两次独立的存储器操作所需的总时间
    C.通常存取周期大于存取时间
    D.存取时间分读出时间和写入时间两种

    正确答案:B你选对了
    7、单选(1分)
    随机存储器按其存储信息的原理不同,可以分为静态RAM和动态RAM两大类。

    动态RAM基础电路有三管式和单管式两种,它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息。若电容上存有足够多的电荷表示存“1”,电容上无电荷表示存“0”。电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不掉电,信息也会自动消失。为此,必须在2ms内对其所有存储单元恢复一次原状态,这个过程称为再生或刷新。

    动态RAM的刷新有集中刷新,分散刷新,异步刷新之分。集中刷新是在规定的一个刷新周期内,对全部单元集中一段时间逐行进行刷新,刷新时必须停止读/写操作。在一个刷新周期内不能进行读/写操作的时间称为“死时间”,又称为“死区”,其所占的比率称为“死时间率”。

    某动态RAM的刷新时间分配示意图如下,它的刷新方式为_____,死时间率是____
    在这里插入图片描述

    A.集中刷新、3.2%
    B.分散刷新、3.2%
    C.异步刷新、1.2%
    D.集中刷新、1.2%

    正确答案:A你错选为B
    8、单选(1分)
    下列选项中,一般不属于CPU与主存间连线的是___

    A.数据总线
    B.读写控制线
    C.地址总线
    D.扩展总线

    正确答案:D你选对了
    9、单选(1分)
    某存储器容量为32K*16位,则___

    A.地址线为16根,数据线为15根
    B.地址线为16根,数据线为32根
    C.地址线为15根,数据线为16根
    D.地址线为32根,数据线为16根

    正确答案:C你选对了
    10、多选(2分)
    与动态RAM相比,静态RAM的特点有___

    A.集成度高
    B.芯片引脚多
    C.需要配置再生电路
    D.位价高

    正确答案:B、D你选对了
    11、多选(2分)
    下列各类存储器中,存储信息在掉电后不易失的是____

    A.PROM
    B.EPROM
    C.EEPROM
    D.DRAM

    正确答案:A、B、C你选对了
    12、多选(2分)
    以下关于动态RAM和静态RAM刷新操作的描述正确的是___

    A.静态RAM不需要刷新
    B.动态RAM和静态RAM都不需要刷新
    C.动态RAM不需要刷新,静态RAM需要刷新
    D.动态RAM需要刷新

    正确答案:A、D你选对了

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