• MSP430 flash的操作


    今天顺便研究了一下msp430的flash操作,很多人也许看了我的博客,会发现网站上有很多的人总结得比我要好,这点我承认,因为自己能力有限,但是,从这篇博客起,我会参照以前大神们写的博客,添加大神们写过的博客链接,分享给大家,注明:本人从不抄袭他人博客,博客只是个人技术的一个总结~~~,下面进入今天的正题

    msp430F149有60k的flash,这个对于51来说,是相当的惊人的了,在涉及到flash的操作的时候,往往涉及到三个寄存器,FCTL1,FCTL2,FCTL3。突然间发现msp430的寄存器都有CTL这个字样,这对于记住不同的寄存器操作很有必要,这里我们要明白各个寄存器的用途

    FCTL1是控制如何进行操作,比如读写,复制,擦除

    FCLT2是控制读写的时钟频率,因为flash的操作频率必须是257K到476K之间

    FCTL3用于控制FLASH存储器操作,保存相应的状态标志和错误条件

    关于Flash控制寄存器的介绍

    这里推荐一篇比较好的博客:http://www.cnblogs.com/sky1991/archive/2012/08/18/2645529.html

    也可以参照这一篇博客:http://www.cnblogs.com/Engin/archive/2011/08/31/2160534.html

    下面我们来总结一下如何对flash进行编程操作:

    这里也总结下操作flash的三个寄存器的规律,所有的寄存器操作都是等于,所有的寄存器操作都要加上FWKEY,也就是密匙,了解这一点对编程这很重要

    步骤1:设置时钟频率

    这个时候,是对FCTL2进行操作,FCTL2 = FWKEY+FSSEL0+FN0;

    这里解释一下,FSSELx他有5种选择格式,这里可以查看头文件

    #define FSSEL0              (0x0040)  /* Flash clock select 0 */        /* to distinguish from USART SSELx */
    #define FSSEL1              (0x0080)  /* Flash clock select 1 */
    
    #define FSSEL_0             (0x0000)  /* Flash clock select: 0 - ACLK */
    #define FSSEL_1             (0x0040)  /* Flash clock select: 1 - MCLK */
    #define FSSEL_2             (0x0080)  /* Flash clock select: 2 - SMCLK */
    #define FSSEL_3             (0x00C0)  /* Flash clock select: 3 - SMCLK */

    FNx是分频比:这里有5种分频比:

    #define FN0                 (0x0001)  /* Divide Flash clock by 1 to 64 using FN0 to FN5 according to: */
    #define FN1                 (0x0002)  /*  32*FN5 + 16*FN4 + 8*FN3 + 4*FN2 + 2*FN1 + FN0 + 1 */
    #ifndef FN2
    #define FN2                 (0x0004)
    #endif
    #ifndef FN3
    #define FN3                 (0x0008)
    #endif
    #ifndef FN4
    #define FN4                 (0x0010)


    步骤2:设置完分频的基本操作之后,一般就不用在对FCTL2进行操作了,这个时候

    一般是对FCTL1进行设置,需要明白的是,对flash的操作是以段位操作的,而且在对flash进行操作的时候,一般要采用指针,这个时候,就要进行强制转化,例如设置一个flash的写函数所用的指针为 unsigned *Flash_ptr; Flash_ptr = (unsigned char *)0x1080

    先对一个段进行擦除前,要进行一个假写入,所以这个时候要配置FCTL3,FCTL1,因为flash只能是读权限,要更改她的权限,要对flash的写的标志位进行置位

    也就是

    FCTL1 = FWKEY+ERASE;

    FCTL3 = FWEKY;//#define FWKEY(0xA500)  /* Flash key for write */

    这里要注意一个ERASE这个宏定义;这里是设置擦除的格式,查看头文件会发现有几种擦除格式

    #define ERASE               (0x0002)  /* Enable bit for Flash segment erase */
    #define MERAS               (0x0004)  /* Enable bit for Flash mass erase */

    这个时候,假写入一个数据,就会使得cpu挂起,flash进行擦除
     *Flash_ptr = 0;  //从flash中启动一个擦除,这时候要假写入,启动擦除过程
     

    步骤3:

    启动擦除之后,就可以想flash中写入数据了,写入数据的格式:

     FCTL1 = FWKEY+WRT;//擦除的话,因为从flash中进行擦除,
                                   //设定写模式
     for(i=0;i<128;i++)
        {
            *Flash_ptr ++ = value;//写入128个字节
        }

    步骤4:做完上述操作,要对flash进行锁保护,以防止误写
     FCTL1 = FWKEY;//清掉写的操作位,防止写完后误操作
      FCTL3 = FWKEY +LOCK;//安全恢复保护

    在实际编程的过程中,用到flash高深的地步,还可以将flash作为一个内部的SD卡,用来存储数据,这个功能算是比较高级的应用了,推荐几篇博客介绍这种功能的使用

    flash的扩展使用http://www.cnblogs.com/hrj2012/archive/2012/05/17/2506306.html

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