2017-2018-1 20155308 《信息安全系统设计基础》课堂第六章测试（补做）

2017-2018-1 20155308 《信息安全系统设计基础》课堂第六章测试

1 下面代码中，对数组x填充后，采用直接映射高速缓存，所有对x和y引用的命中率为（）

• A. 1

• B. 1/4

• C. 1/2

• D. 3/4

• 正确答案： D

• 解析：书P431-P432，填充消除了抖动冲突不命中。对于x和y数组，只有在引用第0个和第4个元素的时候发生不命中，即四分之三的引用命中。

2 有关高速缓存的说法正确的是（）

• A. 高速缓存的容量可以用C=SEB 来计算

• B. 高速缓存容量为2048，高速缓存结构为（ 32 ，8，8，32）

• C. 直接映射高速缓存要：组选择、行匹配、字抽取

• D. 当程序访问大小为2的幂的数组时，直接映射高带缓存中常发生冲突不命中

• 正确答案： A C D

• 解析：A：高速缓存的组成结构一般是分为S个组,每个组E行,一行包含B个字节数据。所以总体容量C=SEB。B：当高速缓存容量为2048，高速缓存结构为（（ 32 ），8，8，32），而不是（ 32 ，8，8，32）。C：直接映射高速缓存,组相联高速缓存,全相联高速缓存,组选择,行匹配,字抽取,不命中时的行替换策略。

3 The following table gives the parameters for a number of different caches. For
each cache, determine the number of cache sets (S), tag bits (t), set index bits (s),
and block offset bits (b)

• A . 第三行S为1

• B . 第一行t为24

• C . 第二行b为5

• D . 第三行s的值为0

• 正确答案： A C D

• 解析：书P460，例题6.9。
  

4 有关缓存的说法，正确的是（）

• A . LRU策略指的是替换策略的缓存会选择最后被访问时间距现在最远的块

• B . 不同层之间以字节为传送单元来回复制

• C . 缓存不命时，决定哪个块是牺牲块由替换策略来控制

• D . 空缓存的不命中叫冲突不命中

• 正确答案： A C

• 解析：P422-P423。D：空缓存的不命中叫强制性不命中或冷不命中

5 下面说法正确的是（）

• A . 存储层次结构中最小的缓存是寄存器

• B . 存储层次结构的中心思想是每一层都缓存来自较低一层的数据对象

• C . L4主存可以看作是L5：本地磁盘的缓存

• D . L4主存可以看作是L6的缓存

• 正确答案： A B C

• 解析：书P422。存储器层次结构的中心思想是，对于每个k，位于k层的更快更小的存储设备作为位于k+1层的更大更慢的存储设备的缓存。

6 下面代码的步长是（）

• A . 1

• B . N

• C . N*N

• D . NNN

• 正确答案： C

• 解析：P418。步长值就是循环体中计数器每次的增量值，因此会增加步长至N*N。

7 下面代码中（）局部性最差

• A .

1 void clear1(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (j = 0; j < 3; j++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

• B .

1 void clear2(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (i = 0; i < n; i++) {
6 for (j = 0; j < 3; j++) {
7 p[i].vel[j] = 0;
8 p[i].acc[j] = 0;
9 }
10 }
11 }

• C .

1 void clear3(point *p, int n)
2 {
3 int i, j;
4 5
for (j = 0; j < 3; j++) {
6 for (i = 0; i < n; i++)
7 p[i].vel[j] = 0;
8 for (i = 0; i < n; i++)
9 p[i].acc[j] = 0;
10 }
11 }

• D .
  不确定

• 正确答案： C

• 解析：P418。程序中步长增加，空间局部性下降。其中clear3在结构中以及结构间相互读取，因此空间局部性中它是最差的。

8
程序中（）语句具有良好的局部性

• A . 顺序

• B . 分支

• C . 循环

• D . 以上都是

• 正确答案： C

• 解析：P419。取指令的局部性中，for循环体里的指令是按照连续的内存顺序执行的，因此循环具有良好的空间局部性。因为循环体会被执行很多次，所以它也有很好的时间局部性。

9 下面代码，（）具有差的空间局部性。

• A .
  1 int sumvec(int v[N])
  2 {
  3 int i, sum = 0;
  4
  5 for (i = 0; i < N; i++)
  6 sum += v[i];
  7 return sum;
  8 }

• B .
  1 int sumarrayrows(int a[M][N])
  2 {
  3 int i, j, sum = 0;
  4 5
  for (i = 0; i < M; i++)
  6 for (j = 0; j < N; j++)
  7 sum += a[i][j];
  8 return sum;
  9 }

• C .
  1 int sumarraycols(int a[M][N])
  2 {
  3 int i, j, sum = 0;
  4 5
  for (j = 0; j < N; j++)
  6 for (i = 0; i < M; i++)
  7 sum += a[i][j];
  8 return sum;
  9 }

• D .
  以上都不对

• 正确答案： C

• 解析：P418。图6-19，函数的空间局部性很差，这是因为它使用步长为N的引用模式来扫描。

10 有关局部性原理，说法正确的是（）

• A . 程序访问一个向量，步长越小或短，空间局部性越好

• B . 局部性有两种形式：空间局部性，时间局部性

• C . 程序访问一个向量，步长越大空间局部性越好。

• D . 硬件、OS，应用程序都会用到局部性原理

• 正确答案： A B D

• 解析：P418。程序中步长增加，空间局部性下降。

11 下面说法正确的是（）

• A . CPU通过内存映射I/O向I/O设备发命令

• B . DMA传送不需要CPU的干涉

• C . SSD是一种基于闪存或Flash的存储技术

• D . 逻辑磁盘块的逻辑块号可以翻译成一个（盘面，磁道，扇区 ）三元组。

• 正确答案： A B C D

• 解析：见书P411。

12 下面（）是I/O总线

• A . USB

• B . PCI

• C . 网卡

• D . 图形卡

• 正确答案： B

• 解析：书P411。I/O总线指缆线和连接器系统，用来传输I/O路径技术指定的数据和控制信号，另外还包括一个总线终结电阻或电路，这个终结电阻用来减弱电缆上的信号反射干扰。

13 图中磁盘一个扇区的访问时间约为（）ms

• A . 10

• B . 5

• C . 6

• D . 8

• E . 12

• 正确答案： A

14 有关磁盘操作，说法正确的是（）

• A . 对磁盘扇区的访问时间包括三个部分中，传送时间最小。

• B . 磁盘以字节为单位读写数据

• C . 磁盘以扇区为单位读写数据

• D . 读写头总处于同一柱面

• 正确答案： A C

• 解析：书P409。磁盘以扇区大小的块来读写数据。

15 计算下面磁盘的容量（）：4个盘片，100000个柱面，每条磁道400个扇区，每个扇区512个字节

• A . 81.92GB
• B . 40.96GB
• C . 163.84
• D . 327.68GB
• 正确答案： C
• 解析：磁盘容量=柱面数 * 磁盘面数 * 扇区数 * 字节数
  

16 有关磁盘，说法正确的是（）

• A . 磁盘的读取时间为毫秒级

• B . 每张磁盘有一个表面

• C . 表面由磁道组成

• D . 每个扇区的面积不同，包含的数据位的数量也不一样

• 正确答案： A C

• 解析：P406。磁盘是由盘片构成的，么个盘片有两面或者称为表面。每个扇区所包含的数据位的数量是一样的。

17 根据携带信号不同，总线可分为（）

• A . 系统总线

• B . 数据总线

• C . 内存总线

• D . 地址总线

• E . 控制总线

• 正确答案： B D E

18 关于非易失性存储器，下面说法正确的是（）

• A . DRAM是非易失性存储器

• B . SRAM是非易失性存储器

• C . PROM只能编程一次

• D . EEPROM可以用紫外线进行擦除

• E . 存在ROM中的程序通常被称为固件

• 正确答案： C E

• 解析：书P404，非易失存储器中：如果断电，DRAM和SRAM会丢失他们的信息，从这个意义上讲，他们是已丢失的。PROM只能被编程一次，其中的熔丝只能用高电流熔断一次。

19 通过使用两个时钟沿作为控制信号，对DRAM进行增强的是（）

• A . FPM DAM

• B . SDRAM

• C . DDR SDRAM

• D . VRAM

• E . EDO DRAM

• 正确答案： C

• 解析：P403。双倍数据速率同步DRAM(DDR SDRAM):使用两个时钟沿作为控制信号,使DRAM速度翻倍。

20 有关RAM的说法，正确的是（）

• A . SRAM和DRAM掉电后均无法保存里面的内容。

• B . DRAM将一个bit存在一个双稳态的存储单元中

• C . 一般来说，SRAM比DRAM快

• D . SRAM常用来作高速缓存

• E . DRAM将每一个bit存储为对一个电容充电

• F . SRAM需要不断刷新

• G . DRAM被组织为二维数组而不是线性数组

• 正确答案： A D E G

• 解析：见书P400-P401。

21 有关计算机存储系统，下面说法正确的是（）

• A . 程序具有良好的局部性表现在倾向于从存储器层次结构中的较低层次处访问数据，这样节省时间

• B . 存储层次涉用不同容量，成本，访问时间的存储设备

• C . 存储层次设计基于局部性原理

• D . “存储山”是时间局部性和空间局部性的函数

• 正确答案： B C D

• 解析：程序具有良好的局部性表现在倾向于从存储器层次结构中的较高层次处访问数据。层次越低，访问速度越慢。