SDRAM的所有操作同步与时钟。根据时钟上升沿控制管脚和地址输入的状态，可以产生多种输入命令。
SDRAM的初始化
SDRAM的初始化过程如上图，但是要具体到操作，还要更具体的来讲：
（1）200US的延时，只要用一个时钟计数器，等待期间发送NOP命令即可；
（2）所有L-BANK的预充电，根据我看到的资料，说只要给出一个预充电的命令，保持一个时钟周期即可，然后
再回到空操作的命令（NO Operation）；
(3)8个刷新周期，第个刷新周期大约为6个时钟周期，有的资料也说是9个周期，所以在发出刷新的命令后要等待
6个时钟周期，期间回到空操作状态，然后再次刷新；
（4）模式寄存器的设置（MRS），
以上为模式寄存器设置的设置码，设置好即可，等待一两个时钟周期。下图为HY57V641620HG中对模式
寄存器设置后，等待时钟的要求，为一个或两个时钟，
SDRAM读写操作
初始化之后就进入了读写操作状态，无论是读还是写都要先写入行有效命令。
（1）写入行有效命令，
从上图我们可以看出，行有效的写入与CS和L-Bank的地址线信号是同时写入的，同时，写信号
为高电平。
（2）tRCD延时
在写入行有效和列有效之间，要有一段延称之为tRCD延时（#RAC to #CAS Delay），这是根据
芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态的变化过程）所制定的延时。在延时期间发
送空操作命令。如下图；
上图为HY57V641620HG芯片资料里给出tRCD延时参数。
（3）读写操作
经过tRCD延时之后，就开始读写操作了。下图为读写操作过程，只是#WE不同而已，读写操作命令和
地址信号同时发出。
（4）只是在CAS命令发出后，仍要经过一定时间才能有数据输出，这段时间被定义为CL（CAS Latency
CAS潜伏期），由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期。（CL又分成两部分，一是CAS触发后，在存储体
中晶体管的反应时间会造成数据不会与CAS在同一上升沿触发，肯定要延后至少一个时钟周期；二是数据触发后传向S-AMP
但要经过一段准备时间才能保证信号的发送强度，也需要一个周期，这段时间被称为tAC（Access Time from CLK，时钟
触发后的访问时间））所以在发出读操作命令之后，还要有一个延时，如下图
（5）在读完之后要进行预充电，即要等待tRP时间，下图为HY57V641620HG芯片资料里给出tRP延时参数
（6）在数据写入SDRAM之后，也要有一个延时，再预充电，下下图为HY57V641620HG芯片资料里给出
数据写入之后和预充电的延时。此后才能再输入其它的命令。
（7）自刷新的处理，SDRAM公认每64ms要刷新一次，而64M的SDRAM共有4096行，那么64ms/4096约
为15us，即每15us刷新一行，在这里的刷新的初始化的刷新是一样延时。
除了自刷新命令外，所有命令都是默认CKE有效。
行激活命令选择处于空闲状态存储体的任意一个行，使之进入准备读/写状态。从体激活
到允许输入读/写命令的间隔时钟节拍数取决于内部特征延时和时钟频率。
2---预充电
在进行完读写之后，如果要对同一L—BANK的另一行进行寻址，就要将原来有效的行关闭。
重新发送行/列地址，L—BANK关闭现有的工作行，准备打开新行的操作就是预充电，预充电命
令可以作用于单个体也可以作用于所有体（通过所有体预充电命令）对于猝发写操作必须保证在
写入预充电命令前，写操作已经完成。并使用DQM禁继续写入数据。
自：预充电是在打开新的行之前的操作，在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能 允许发送RAS
行有效命令打开新的工作行，这个间隔被称为tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）
3---自动预充电
如果在猝发读或猝发写命令中，A10/AP位置为“1”，在猝发读写操作完成后自动附加一个预
充电动作。
4----猝发读
猝发读命令允许某个体中的一行被激活后，连续读出若干个数据。第一个数据会在指定的CAS延时节拍后
出现在数据线上，这个指定的节拍就是CAS的潜伏期（CL），以后个时钟节拍最会输出一个新的数据。猝发读操
作结束后数据总线呈高阻态，可以在适当的节拍上再次发出猝发读命令使数据线上保持没有空隙。猝发读
操作可以被同体或不同体的新的猝发读/写命令或同一体的预充电命令及猝发停止命令中止。
上图指定CL为2，BL为4。
5---猝发写
与猝发读命令类似，第一个写数据与猝发写命令同时在数据线给出，以后每个时钟节拍给出一个新的数据，
输入缓冲在猝发数据量满足要求后停止接受数据。猝发写操作可以被猝发读/写命令或DQM数据输入屏蔽命令和
预充电命令或猝发停止命令中止。
6---写命令
列寻址信号与写命令是同时发出的。WE有效时，就是写命令。
7---读命令
读取命令与列地址一块发出，WE#无效时，就是读命令，
在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔 ，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay
以时钟周期数为单位。在CAS命令发出后，仍要经过一定时间才能有数据输出，这段时间被定义为CL（CAS Latency
CAS潜伏期），由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期。（CL又分成两部分，一是CAS触发后，在存储体
中晶体管的反应时间会造成数据不会与CAS在同一上升沿触发，肯定要延后至少一个时钟周期；二是数据触发后传向S-AMP
但要经过一段准备时间才能保证信号的发送强度，也需要一个周期，这段时间被称为tAC（Access Time from CLK，时钟
触发后的访问时间））
8---数据输入
数据写入的操作也是在tRCD之后进行的，但此时没有CL，数据信号由控制端发出，输入时芯片无需做任何调校，可以与CAS
同时发送，即写入延时为0，不过，数据并不是即时地写入存储电容，因为选通三极管（和读时一样）与电容的充电必须有一段
时间，所以数据的真正写入需要一定的周期，这段时间就是写回周期（tWR）同时也因为写回周期的存在，使预充电操作延后
。
9---刷新操作
刷新操作与预充电中重写的操作是一样的，都是用S-AMP先读再写。但因为预充电是对一个或所有L-BANK中的工作行操作，并且
是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。但与所有L-BANK
预充电不同的是，这里的行是指所有L-BANK中地址相同的行，而预充电中各L-BANK中的工作行地址并不是一定是相同的。
刷新分为自动刷新AR和自我刷新SR，不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。
10---数据掩膜（Data I/O Mask 简称DQM）
通过DQM，内在可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。在读取时，被屏蔽的数据仍然会从存储体传出，只是在“掩码逻辑单元”
处被屏蔽，在读取时DQM发出两个时钟周期后生效，而在写入时，DQM与写入命令一样是立即生效。
读取时数据掩码操作，DQM在两个周期后生效，突发周期的第二笔数据被取消。
当DQM为高电平时有效，猝发周期的第二笔数据被取消。
（参考：高手进阶，终极内在技术指南——完整进阶版）
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1、模式寄存器设置（MRS）
SDRAM上有一个模式寄存器，用户通过它来设置突发长度、突发类型，读潜伏期。上电后必须对它进行设置来初始化器件，
这个命令只有在所有的bank都处于空闲时才可以发送，且CKE在该命令发送之前，必须至少保持一个时钟周期的高电平。这
个命令的发送是在RAS、CAS、CS、WE为低电时钟的上长沿触发，
且数据口设置为输入。数据写入模式寄存器需要两个时钟，这写时间任何命令都不能被发送。
注：所有的bank
2、行有效
空闲bank的任意一行都可以通过一个激活命令来激活。激活命令的初始化是通过激活CS，RAS
和使CAS、WE无效，并和bank地址和行地址在同一个时钟的上升沿触发。一旦一个行有效命令
被发送到对应所选择的bank的地址，被选的bank离开空闲状态，进入行有效状态，于是，行地址
被锁存，对应的行被选择，行内的数据被选定并被送到读出放大器，用作以后的读写操作。再经过
最少的tRCD时间的延时后，突发读/写命令才能被发送，不同的BANK可以同时被激活。当激活另
一个BANK时，需要最小的tRRD延时。如果一个BANK已经激活就不能再发送行激活命令，同样，
如果SDRAM处在掉电模式、自刷新、自动刷新状态（tRC），和时钟悬浮状态行激活命令也不能被发送。
读BANK
这个命令用来对激活的行进行突发读数据，这个命令的开始时通过激活CS，CAS（拉低），并把
WE拉高，在时钟的上升沿触发的，经过CAS潜伏期后，数据开始有效，突发长度和潜伏期是在模式寄
存器中设置的，突发读可以由突发停止命令来控制，在突发长度的末尾，数据输出会变为高阻，并且BANK
会重新行有效状态。
写BANK
写命令是把CS、CAS和WE拉低，并赋上列地址，在同一时钟的上升沿触发，第一个数据可以和写命令
和列地址在同一时钟钟被输入，突发写长度也是在MRS中设置的。
预充电（PRECHARGE）
这个命令是通过逻辑块地址对逻辑块进行预充电，预充电过程是把#CS，#RAS，#WE拉低，同时把AP和块地址一起送出，
当AP为高时，所有的BANK通过预充电命令进行充电；当AP为低时，
只有被块地址选中的逻辑块进行预充电。在预充电命令被发出后，需要经过最小的tRP延时之后，
才能再次激活逻辑块。经过tRP延时之后，逻辑块进行空闲状态。
注：在突发写之后，要经过tDPL延时才能执行，预充电命令，当·#CAS潜伏期为2和3时，
tDPL = 1CLK；
自动预充电（AUTO PRECHARGE）
自动预充电是给激活的逻辑块进行充电，并且不需要预充电命令，一个读/写与自动预刷新是在
一个tRAS周期之内完成的。自动预刷新是和读/写命令在同一个时钟的上升沿发送的。如果读/
写伴随AP为高电平，那么在一个读/写周期后逻辑块将进入空闲状态。伴随有自动预刷新的读/写
是不能被另一个读/写、预充电和突发停止命令所终止的。所以在伴有自动刷新的读写期间这些
命令是禁止的。
刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于AR， SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为9个时钟周期（PC133标准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms之后则再次对同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新。显然，刷新操作肯定会对SDRAM的性能造成影响，但这是没办法的事情，也是DRAM相对于SRAM（静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。
SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入了SR模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。