ALD技术产品形态
原子层沉积研究设备
TFS 200是适合科学研究和企业研发的最灵活的ALD平台。倍耐克 TFS 200专门设计用于多用户研究环境中把可能发生的交叉污染降至最低。 大量的可用选项和升级意味着倍耐克TFS 200将与一起成长，以满足最高要求的研究需求。
倍耐克TFS 200不仅可以在平面物体上镀膜，而且还适用于粉末，颗粒，疏松多孔的基体材料，或是有较高深宽比的复杂的三维物体。 直接和远程等离子体沉积(PEALD)可以作为TFS 200的标准选项。 离子体是工业化标准的电容性耦合等离子体(CCP)。 CCP等离子体选件可为直径达200mm，面朝上或面朝下的衬底提供直接和远程等离子体沉积ALD（PEALD）。
选件和与升级页面上找到有关Beneq TFS 200可用选项的更多信息.
适用于工业生产的薄膜系统
倍耐克P400A和P800是专为工业规模生产设计的原子层沉积系统。 它们是从研发阶段到大规模的工业化生产的理想工具。该系统具有技术可靠性以及工业应用成熟性。 该设计主要基于在严苛工业应用中连续（24/7）运行25年的丰富经验。
大多数工业客户需要专门的设备和工艺流程。
倍耐克拥有多台P400A和P800系统，以满足应用开发和薄膜研发的需求。
由此，那些正在寻找生产设备的客户可以在进行投资前，验证工艺、设备的技书性能及相关成本。
此外，还提供小规模量产的可能性，直至客户可以实现自主生产。
扩大到大批量生产和厚膜堆叠生产
与常规理解不同的是，许多原子层沉积使用的是叠层模块（>1μm）。 批次生产需要优化前躯体源材料的通入量和先进的工艺尾气处理系统。 P400A和P800配备了多重过滤系统，能够处理大量的前躯体。 在工艺期间，前躯体的吸收装置可保证系统薄膜生长过程中的化学物质及生长的薄膜不进入真空泵。
尾气过滤器体积较大，而且具有高的气体通过率。 该系统的过滤器处理能力是在研发模式下的常规清洗间隔大约为1年，在生产模式下的间隔为3至6个月。
对于工艺和镀膜使用设计，用于纳米叠层材料、混合膜和复杂镀膜设计结构的用户友好型配方编辑器能够在同一批次中处理数百个不同的镀层。
性能亮点
研发阶段后立即扩大到生产阶段。
用于可重复生产控制的日志记录。
UPS支持功能。
维护需求更低。
采用独特的迷你尺寸设计，可满足批量装载、基底尺寸、污染控制的灵活性。
采用迷你尺寸和专有的过滤器设计，可以从P400系统上分离进行清洗工作
进行清洁时无需停机。
具有高性价比的热腔和大容量批量系统。
独特的热稳定源供应系统、嵌入式快速计量阀和集成的前驱体通道。
真空泵系统采用专有的大容量前驱体吸附和过滤系统，可实现大批量加工。
除了正常的加热回路以外，附加的PLC可以通过专用热电偶避免过热，从而提高生产安全性。
基于30年发展并经过业界证明的生产重复性和可靠性。
适用于科研和批量生产的薄膜系统
TFS 500设计专门用于各种薄膜镀膜应用。作为倍耐克的第一个反应腔模型，它已被证明是一个多功能工具，用于深入研究薄膜和稳定的批量生产。
TFS 500是一种应用于多项目环境的理想工具。 TFS 500可以处理几种类型的基底：晶圆、平面物体、颗粒和多孔体材料，以及具有高深宽比特征的复杂三维物体。 它还可以配备手动传送臂用来提高硅片的处理能力。不同类型的反应室极易安装于真空腔内，同时针对每个客户应用优化不同的反应腔。
TFS 500符合工业可靠性的严格要求和研发运作灵活性的要求。加工组件均为常备品，可确保备件的可用性。前驱体料罐可以快速简单的更换。前驱体可以是气态、液态和固态的物质。作为标准选项, 热源可以被加热到500°C。
自2014年以来，倍耐克一直与MBRAUN合作，通过提供完整研发解决方案来满足不断增长的OLED市场需求。
双方合作的目标是将倍耐克的突破性薄膜封装技术与MBRAUN手套箱、定制箱体、独立单元相结合。
适用于工业OLED封装的薄膜系统
倍耐克WCS 600是用于研发和试生产的卷对卷原子层沉积系统。 该系统特别适于AMOLED显示屏、OLED照明、柔性光伏电池、电池和柔性玻璃镀膜的应用。
将高品质原子层沉积膜连续沉积到柔性基底卷上，如聚合物、金属或纸
敏感基底的加工温度（<150℃）较低< span="">
具有广泛的工作压力范围，适用于线路集成
系统沉积速度具有高度拓展性，可达到10米/分钟
超快速高精度空间ALD镀膜
Beneq C3R 是高精度空间ALD镀膜设备的新成员。
倍耐克C3R将等离子体增强原子层沉积（PE原子层沉积）工艺提升到一个全新的水平 - 首次将PE原子层沉积应用于大批量生产。由于采用了旋转等离子体增强型原子层沉积工艺，倍耐克C3R成为理想的原子层沉积厚膜设备，其薄膜厚度甚至达到微米级别。
倍耐克C3R为工业应用中高性能原子层沉积晶圆提供了最佳解决方案，如光学镀膜、绝缘体和阻隔层。
在考虑选择具有速度、低成本、低工艺温度及最高薄膜质量的产品时，倍耐克C3R是理想之选。
技术亮点
· 适用于微机电系统、LED、OLED、光伏、大功率半导体、传感器等的阻隔、绝缘和防腐应用
· 适用于高达200毫米的晶圆和其他圆形或矩形基底
· 可配备标准晶圆自动化技术
如需更多产品信息和技术支持，请联系销售团队。
适用于大批量自动生产的晶圆设备
倍耐克C2是晶圆生产设备系列中的最新设计。它提供了高容量批量处理和标准晶圆盒自动化的结合。
倍耐克C2非常适合于各种晶圆应用的大批量生产，包括微机电系统、LED、OLED、喷墨打印头等。
倍耐克C2的热法批量原子层沉积工艺是用于电介质、导体、阻隔层、钝化层的氧化物和氮化物工艺的理想选择。
工艺详情：
· 晶圆直径达200mm
· 每小时最多50片晶圆
· 正面朝下和正面朝上的处理选项
如需更多产品信息和技术支持，请联系销售团队。
备件
备件
Beneq以生产高品质产品为荣。 Beneq的每个设备都是以场上最好的材料和组件制成的。
当遇到需要更换部件或想升级组件的情况时，客户服务团队总是乐意为提供选择，订购和交付正确备件的帮助。
性能亮点
主要工艺周期时间低于2秒。
在许多情况下，小于1秒（均匀性变化< ±1%，例如，Al2O3）。
热源多功能性，高达500°C的热源设置作为标准选项
侧重于应用的反应腔设计
直接和远程CCP等离子体原子层沉积作为标准选项
适用于晶圆、多晶圆、三维物体和粉末基底的不同反应腔
模块化设计可以方便地更换反应腔、前驱体和管道
适用大表面积基底的高沉积压力
手动传送装置可用于基底晶圆的快速更换
保证均匀的基底温度、防止前躯体冷凝和二次反应
用于快速加热和冷却的冷壁真空腔
用于原位诊断等的预留真空接口
洁净室兼容性
循环周期小于2秒。在特定的条件下可以小于1秒
高深宽比(HAR)选项适用于较深沟槽和多孔的基底材料
可以快速加热和冷却的冷壁真空腔
安装在真空腔的辅助接口可以实现等离子体和在线诊断
手动传送臂可以快速更换基底材料，而且可以和其他设备配合使用