• CMOS图像传感器理解


    CMOS图像传感器理解

    水流方向从左边流向右边,上面有一个开关,拧下去的时候水流停止,拧上去的时候水流打开。左边是水流的源头我们给它起个名字,叫做源端(就是源头的意思嘛),右边是水流出去的地方,也就是说水都从这个地方漏出去了,我们也给它起个名字叫做漏端。上面的开关控制着有没有水从源端流到漏端,像是一个栅栏一样,如果这个栅栏放下来,就阻断了水流的流向,如果放上去,正好相反,那我们也给它起个名字,叫做栅端(但是,这里如果读作zha四声,那就太难听了,查了一下新华字典,这个字还可以读作shan一声,这样就好听多了,所以我们一律读shan一声)。其实栅端不仅仅控制有没有水流,还要控制水流的大小。那怎么控制呢,细心的人会发现开关上有螺纹,可以控制这个栅栏下去的深度,从而达到控制水流大小的目的,这样就避免了我轻轻一碰开关,水流就直接流出来的尴尬。这就是水龙头的工作原理,我们可以将这个图片再简化一下。如下

    当我们对栅端施加一个压力时,会控制水流大小从源端流向漏端。

    但是这里要注意,这里有三个状态,没有水的状态,很小水量的状态(因为栅端压力太小,没有完全打开),水量充足状态(栅端压力已经把栅栏完全打开)。

    CMOS原理

    其实聊到这里我们已经了解了CMOS的工作原理,怎么?还不明白?那好吧,我们再换个名字,比如这样。

     N型半导体中,在源端和漏端打入N型材料,如果在源端接地(0V),在漏端接一个相对较大的正电压,那么电子流根据异性相吸的原则也会从源端流向漏端。你可能会问,那栅端的作用是啥呢?其实栅端的作用和水龙头一样,控制着有没有电子流或者电子流的大小。我们再画个图

    当我们在栅端加一个正电压时,源端的电子流和栅端的左侧靠的进,所以源端的电子流首先往右上角走(因为二氧化硅是纯绝缘体,所以不会有源端的电子跑到上面去)。当栅端的电压越大时,电子就越往右,直到当栅端电压大于某个值时,源端的电子流可以流到漏端了。这样电子流就有一个完整的通路了。只要源,栅,漏端的电压不变,电子流会源源不断的从源端到漏端,就形成下面这个图的样子~

     图像传感器是将光信号转换为电信号的装置,在数字电视、可视通信市场中有着广泛的应用。60年代末期,美国贝尔实脸室发现电荷通过半导体势阱发生转移的现象,提出了固态成像这一新概念和一维CCD(Charge-Coupled Device 电荷耦合器件)模型器件。到90年代初,CCD技术已比较成热,得到非常广泛的应用。  

    但是随着CCD应用范围的扩大,其缺点逐渐暴露出来。首先,CCD技术芯片技术工艺复杂,不能与标准工艺兼容。其次,CCD技术芯片需要的电压功耗大,因此CCD技术芯片价格昂贵且使用不便。

    目前,最引人注目,最有发展潜力的是采用标准的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor  互补金属氧化物场效应管)技术来生产图像传感器,即CMOS图像传感器。CMOS图像传感器芯片采用了CMOS工艺,可将图像采集单元和信号处理单元集成到同一块芯片上。由于具有上述特点,它适合大规模批量生产,适用于要求小尺寸、低价格、摄像质量无过高要求的应用,如保安用小型、微型相机、手机、计算机网络视频会议系统、无线手持式视频会议系统、条形码扫描器、传真机、玩具、生物显微计数、某些车用摄像系统等大量商用领域。

     

     CMOS图像传感器 

    CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器,与CCD有着共同的历史渊源。CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成这几部分通常都被集成在同一块硅片上。其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。

     在CMOS图像传感器芯片上还可以集成其他数字信号处理电路,如AD转换器、自动曝光量控制、非均匀补偿、白平衡处理、黑电平控制、伽玛校正等,为了进行快速计算甚至可以将具有可编程功能的DSP器件与CMOS器件集成在一起,从而组成单片数字相机及图像处理系统。

     

     更确切地说,CMOS图像传感器应当是一个图像系统。一个典型的CMOS图像传感器通常包含:一个图像传感器核心(是将离散信号电平多路传输到一个单一的输出,这与CCD图像传感器很相似),所有的时序逻辑、单一时钟及芯片内的可编程功能,比如增益调节、积分时间、窗口和模数转换器。事实上,当一位设计者购买了CMOS图像传感器后,他得到的是一个包括图像阵列逻辑寄存器、存储器、定时脉冲发生器和转换器在内的全部系统。与传统的CCD图像系统相比,把整个图像系统集成在一块芯片上不仅降低了功耗,而且具有重量较轻,占用空间减少以及总体价格更低的优点。

     CMOS结构

    下图为CMOS图像传感器的功能框图。

     

     首先,外界光照射像素阵列,发生光电效应,在像素单元内产生相应的电荷。行选择逻辑单元根据需要,选通相应的行像素单元。行像素单元内的图像信号通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理单元以及A/D转换器,转换成数字图像信号输出。其中的行选择逻辑单元可以对像素阵列逐行扫描也可隔行扫描。行选择逻辑单元与列选择逻辑单元配合使用可以实现图像的窗口提取功能。模拟信号处理单元的主要功能是对信号进行放大处理,并且提高信噪比。另外,为了获得质量合格的实用摄像头,芯片中必须包含各种控制电路,如曝光时间控制、自动增益控制等。为了使芯片中各部分电路按规定的节拍动作,必须使用多个时序控制信号。为了便于摄像头的应用,还要求该芯片能输出一些时序信号,如同步信号、行起始信号、场起始信号等。

    从某一方面来说,CMOS图像传感器在每个像素位置内都有一个放大器,这就使其能在很低的带宽情况下把离散的电荷信号包转换成电压输出,而且也仅需要在帧速率下进行重置。CMOS图像传感器的优点之一就是它具有低的带宽,并增加了信噪比。由于制造工艺的限制,早先的CMOS图像传感器无法将放大器放在像素位置以内。这种被称为PPS的技术,噪声性能很不理想,而且还引来对CMOS图像传感器的种种干扰。

    然而今天,随着制作工艺的提高,使在像素内部增加复杂功能的想法成为可能。现在,在像素位置以内已经能增加诸如电子开关、互阻抗放大器和用来降低固定图形噪声的相关双采样保持电路以及消除噪声等多种附加功能。实际上,在Conexant公司(前Rockwell半导体公司)的一台先进的CMOS摄像机所用的CMOS图传感器上,每一个像素中都设计并使用了6个晶体管,测试到的读出噪声只有1均方根电子。不过,随着像素内电路数量的不断增加,留给感光二极管的空间逐渐减少,为了避免这个比例(又称占空因数或填充系数)的下降,一般都使用微透镜,这是因为每个像素位置上的微小透镜都能改变入射光线的方向,使得本来会落到连接点或晶体管上的光线重回到对光敏感的二极管区域。

     因为电荷被限制在像素以内,所以CMOS图像传感器的另一个固有的优点就是它的防光晕特性。在像素位置内产生的电压先是被切换到一个纵列的缓冲区内,然后再被传输到输出放大器中,因此不会发生传输过程中的电荷损耗以及随后产生的光晕现象。它的不利因素是每个像素中放大器的阈值电压都有细小的差别,这种不均匀性就会引起固定图像噪声。然而,随着CMOS图像传感器的结构设计和制造工艺的不断改进,这种效应已经得到显著弱化。

     这种多功能的集成化,使得许多以前无法应用图像技术的地方现在也变得可行了,如孩子的玩具,更加分散的保安摄像机、嵌入在显示器和膝上型计算机显示器中的摄像机、带相机的移动电路、指纹识别系统、甚至于医学图像上所使用的一次性照相机等,这些都已在某些设计者的考虑之中。

    CCD型和CMOS型固态图像传感器在光检测方面都利用了硅的光电效应原理,不同点在于像素光生电荷的读出方式。典型的CMOS像素阵列,是一个二维可编址传感器阵列。传感器的每一列与一个位线相连,行允许线允许所选择的行内每一个敏感单元输出信号送入它所对应的位线上,位线末端是多路选择器,按照各列独立的列编址进行选择。

     

     根据像素的不同结构,CMOS图像传感器可以分为无源像素被动式传感器(PPS)和有源像素主动式传感器(APS)。根据光生电荷的不同产生方式APS又分为光敏二极管型、光栅型和对数响应型,现在又提出了DPS(digital pixel sensor)概念。

      CMOS传感器参数

    1、传感器尺寸

     CMOS图像传感器的尺寸越大,则成像系统的尺寸越大,捕获的光子越多,感光性能越好,信噪比越低。目前,CMOS图像传感器的常见尺寸有1英寸、2/3英寸、1/2英寸、1/3英寸、1/4英寸等。

     

     2、像素总数和有效像素数

     

    像素总数是指所有像素的总和,像素总数是衡量CMOS图像传感器的主要技术指标之一。CMOS图像传感器的总体像素中被用来进行有效的光电转换并输出图像信号的像素为有效像素。显而易见,有效像素总数隶属于像素总数集合。有效像素数目直接决定了CMOS图像传感器的分辨能力。 

     

     3、灵敏度

    图像传感器对入射光功率的响应能力被称为响应度。对于CMOS图像传感器来说,通常采用电流灵敏度来反映响应能力,电流灵敏度也就是单位光功率所产生的信号电流。

    4、分辨率

    分辨率是指CMOS图像传感器对景物中明暗细节的分辨能力。通常用调制传递函数(MTF)来表示,同时也可以用空间频率(lp/mm)来表示。

    5、光电响应不均匀性

     CMOS图像传感器是离散采样型成像器件,光电响应不均匀性定义为CMOS图像传感器在标准的均匀照明条件下,各个像元的固定噪声电压峰峰值与信号电压的比值。

     6、光谱响应特性

     CMOS图像传感器的信号电压Vs和信号电流Is是入射光波长λ的函数。光谱响应特性就是指CMOS图像传感器的响应能力随波长的变化关系,它决定了CMOS图像传感器的光谱范围。

     

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