FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初次读取后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。环境温度高于85°C，由于自由电荷的积累导致FRAM磨损，从而导致影响10年的数据保留。
Everspin MRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。MRAM使用更简单的1晶体管，1磁性隧道结单元构建。简单的Everspin MRAM单元可提高制造效率并提高可靠性.MRAM使用磁隧道结技术进行非易失性存储。高温下数据不会泄漏，并且没有磨损机制来限制读，写的次数拨动式MRAM可靠性的另一个重要方面是保持数据免受热磁化翻转引起的错误的影响。进行了加速烘烤测试，在150°C下的2000 h至260°C下的2h的条件下烘烤了三批中的1500个代表性4-Mb零件，并且所有零件的数据保留翻转均为零。外推回工作温度表明数据保留寿命超过20年。由于磁性材料固有的坚固耐用性，MRAM还具有抗辐射性能。
Everspin Technologies的SPI MRAM在磁场环境中操作时对数据损坏的敏感性较低，因此可以帮助工程师设计高抗磁能力的可靠系统。最大情况。可用于SPI MRAM的外部磁场为12000 A / m（150高斯），在写，读和待机操作期间。 Everspin Technologies提供了有关如何在其中操作MRAM的具体指南。