方正微 run card 中英文对照表

LAS_MAK	激光打标	39	GOI_BNK	进bank	77	COD_BNK	进入bank
NWL_IMP1	N阱注入1	40	VTN_PHO	VTN(N管开启电压)光刻	78	ROM_PHO	ROM(存储器)光刻
INT_OXI	初始氧化	41	VTN_IMP	N管开启电压注入	79	ROM_IMP	ROM注入,
PAD_OXI1	垫氧,起缓冲作用.	42	VTG_IMP	VT(开启电压)注入	80	ILD_DEP	BPTEOS淀积
SDG_DEP1	SDG (MOS管的源,栅,漏) 淀积1	43	PFI_PHO2	P场光刻2	81	ILD_FLW	ILD是第一层隔离介质回流
SDG_PHO1	SDG 光刻1	44	PFI_IMP2	P场注入2	82	SIN_RMV1	去除氮化硅
SDG_ETC1	SDG 蚀刻1	45	SAC_RMV	去除牺牲氧化层	83	GOX_OXI1	栅氧生长
HMK-DEP	硬掩模淀积	46	GOX_OXI	MOS管的栅氧化层	84	VTP_PHO	P管VT(开启电压)光刻
TRN_PHO	沟槽光刻	47	SDG_IMP	MOS管的源漏注入	85	VTP_IMP	P管VT(开启电压)注入
HMK_ETC	硬掩模蚀刻	48	PO1_DEP	多晶硅淀积	86	VTP_ANL	P管VT退火,在注入之后
TRN_ETC	沟槽蚀刻	49	PO1_DOP	多晶硅搀杂	87	CT1_PHO	孔层光刻
TRN_RND	沟槽圆滑蚀刻	50	DPL_DEP	搀杂多晶硅淀积	88	CT1_ETC	孔蚀刻
NWL_PHO	N阱光刻	51	DPL_ETB	搀杂多晶硅蚀刻	89	CT1_IMP	孔注入
NWL_IMP	N阱注入	52	WSI_SPU	钨化硅溅射	90	CT1_FLW	回流,
PWL_PHO	P阱光刻	53	PO1_PHO	多晶硅层涂胶,为了去除不用的地方	91	CTL_ETC	孔蚀刻
PWL_IMP	P阱注入	54	PO1_ETC	多晶硅蚀刻	92	CTN_IMP	N管孔注入
WEL_DRV	推阱	55	NLD_IMP	N管浅层注入	93	CTP_PHO	P管孔光刻
PAD_OXI2	垫氧2	56	BDY_OXI	场氧化层	94	CTP_IMP	P管孔注入
SDG_DEP2	SDG淀积2	57	BDY_PHO	场光刻	95	MT1_SPU	溅铝
SDG_PHO2	SDG 光刻2	58	BDY_IMP	场注入	96	MT1_TIN	1铝层氮化钛淀积
SDG_ETC2	SDG 蚀刻2	59	BDY_DRV	场驱入	97	MT1_ALY	1铝合金
PFI_PHO1	P场光刻	60	PLD_PHO	P管浅层光刻	98	MT1_PHO	1铝光刻
PFI_IMP1	P场注入	61	PLD_IMP	P管浅层注入	99	MT1_ETC	1铝蚀刻
FLD_OXI	场氧,起隔离器件作用	62	SPA_DEP	侧墙淀积	100	PAS_DEP	护层淀积
RNG_PHO	场环光刻	63	SRC_PHO	源区光刻	101	PAS_PHO	护层光刻
RNG_IMP	场环注入	64	SRC_ETC	源区蚀刻	102	PAS_ETC	护层蚀刻
RNG_ETC	场环蚀刻	65	SRC_IMP	源区注入	103	PAS_ALY	护层合金
RNG_DRV	场环推进	66	SRC_DRV	源区驱入或退火	104	PAS_DEP2	护层淀积
SDG_PHO3	SDG 淀积3	67	SPA_ETC	侧墙蚀刻	105	PAS_PHO2	护层光刻
SDG_ETC3	SDG 光刻3	68	NSD_PHO	N管(N管的源漏)光刻	106	PAS_ETC2	护层蚀刻
PAD_OXI3	垫氧3	69	NSD_IMP	N管的源漏注入,以形成N管	107	OQC1	QRA 检验
JFT_IMP	JFT 注入	70	PSD_PHO	P管(P管的源漏)光刻	108	WAT-TES	WAT 测试
JFT_DRV	JFT 推进	71	PSD_IMP	P管的源漏注入,以形成N管	109	BAK_GRD	背面减薄
DBY_PHO	DBY 光刻	72	RPL_DEP	P+ 反打区淀积	110	BAK_IMP	背面注入
DBY_IMP	DBY 注入	73	RPL_PHO	P+ 反打区光刻	111	BAK_MET	背面背金
DBY_DRV	DBY 推进	74	RPL_ETC	P+ 反打区蚀刻	112	CPT_TES	CP 测试
SIN_RMV	去除氮化硅	75	RPL_OXI	P+ 反打区氧化
SAC_OXI	牺牲氧化层	76	SDA_DRV	源,漏驱入或退火