以下是EDD5116AFTA数据手册的摘录。不过看过了还是不太明白二者的区别。
self-refresh:
Self-refresh entry [SELF]
This command starts self-refresh. The self-refresh operation continues as long as CKE is held low. 只要CKE为低就开始自刷新/
During the selfrefresh operation, all ROW addresses are repeated refreshing by the internal refresh controller. 由内部的刷新控制器给出行地址重复刷新
A self-refresh is terminated by a self-refresh exit command.
Self-Refresh
The self-refresh command can be used to retain data in the DDR SDRAM, even if the rest of the system is powered down. 用来保存数据，即使系统的其他部分已经待机。
When in the self-refresh mode, the DDR SDRAM retains data without external clocking.
保存数据，可以不需要外部的时钟。
The self-refresh command is initiated like an auto-refresh command except CKE is disabled (low). 开始方式和自动刷新很像，只是CKE是低。
The DLL is automatically disabled upon entering self-refresh, and is automatically enabled upon exiting self-refresh. 进入自刷新后，DLL自动无效， 退出后又有效。
Any time the DLL is enabled a DLL reset must follow and 200 clock cycles should occur before a read command can be issued. DLL有效后，至少要等200时钟才能有其他命令。
Input signals except CKE are “Don’t care” during self-refresh. Since CKE is an SSTL2 input, VREF must be maintained during self-refresh.除CKE外，其他信号都不关心
auto-refresh:
Auto-refresh command [REF]
This command executes auto-refresh. The banks and the ROW addresses to be refreshed are internally determined by the internal refresh controller。
要刷新的行地址和bank都由内部刷新控制器决定。
The average refresh cycle is 7.8 μs. The output buffer becomes high-Z after autorefresh start. Precharge has been completed automatically after the auto-refresh.
进入自动刷新后，输出端高阻，结束后自动执行一次precharge/预充电。
The ACT or MRS command can be issued tRFC after the last auto-refresh command
感觉二者的唯一区别就是 自刷新时CKE为低，自动刷新时CKE为高。
还有就是自动刷新可以不需要外部时钟？这可能么？还是我理解错了？
还有按理说自动刷新应该全自动，自刷新至少要有一部分是由host控制的，即要从host得到部分信息，像要刷新的bank ，起始ROW等。不过手册没说，我在查查。
更新：
首先赞叹以下google的搜索能力。我只是打了“自动刷新 自刷新”。结果把人家清华的一本书收出来了。上面有一段。还选中了。由于版权保护，只能看不能复制，么办法，截图了。对不起了。
看来人家自刷新就是不要时钟，不过我就是不明白，同步电路没有时钟怎么让计数器加1。怎么实现刷新？
不过看来这个刷新并不是个简单的事情，还需要再接着看了。
自动刷新实现较为简单，而自刷新功耗更小。
更新：一个网站上关于刷新的文章：讲的差不多明白了。
这是个系列文章，对sdram进行了系统的介绍，不错不错。哈哈
http://soft.zdnet.com.cn/stor-age/2004/0218/399654.shtml
第1页：序：不得不说的话第2页：SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽第3页：SDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法第4页：SDRAM的引脚与封装第5页：SDRAM芯片初始化、行有效、列读写时序第6页：SDRAM的读/写时序与突发长度第7页：SDRAM芯片的预充电与刷新操作第8页：图解SDRAM工作流程：仓库物语第9页：SDRAM的结构、时序与性能的关系（上）第10页：SDRAM的结构、时序与性能的关系（下）第11页：如日中天——DDR SDRAM（上）第12页：如日中天——DDR SDRAM（下）第13页：昔日贵族——Rambus DRAM（一）第14页：昔日贵族——Rambus DRAM（二）第15页：昔日贵族——Rambus DRAM（三）第16页：昔日贵族——Rambus DRAM（四）第17页：明日之星——DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ（一）第18页：明日之星——DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ（二）第19页：明日之星——DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ（三）第20页：没有我不行——内存模组（上）第21页：没有我不行——内存模组（下）
SDRAM芯片的预充电与刷新操作
预充电
由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-AMP（重新加入比较电压，一般是电容电压的1/2，以帮助判断读取数据的逻辑电平，因为S-AMP是通过一个参考电压与存储体位线电压的比较来判断逻辑值的），以准备新行的工作。具体而言，就是将S-AMP中的数据回写，即使是没有工作过的存储体也会因行选通而使存储电容受到干扰，所以也需要S-AMP进行读后重写。此时，电容的电量（或者说其产生的电压）将是判断逻辑状态的依据（读取时也需要），为此要设定一个临界值，一般为电容电量的1/2，超过它的为逻辑1，进行重写，否则为逻辑0，不进行重写（等于放电）。为此，现在基本都将电容的另一端接入一个指定的电压（即1/2电容电压），而不是接地，以帮助重写时的比较与判断。
现在我们再回过头看看读写操作时的命令时序图，从中可以发现地址线A10控制着是否进行在读写之后当前L-Bank自动进行预充电，这就是上文所说的“辅助设定”。而在单独的预充电命令中，A10则控制着是对指定的L-Bank还是所有的L-Bank（当有多个L-Bank处于有效/活动状态时）进行预充电，前者需要提供L-Bank的地址，后者只需将A10信号置于高电平。
在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行，这个间隔被称为tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和tRCD、CL一样，tRP的单位也是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。
读取时预充电时序图（上图可点击放大）：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。自动预充电时的开始时间与此图一样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时，A10地址线要设为高电平（允许自动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要，它可以在读取操作结束后立刻进入新行的寻址，保证运行效率。
| 误区：读写情况下都要考虑写回延迟 |
|
有些文章强调由于写回操作而使读/写操作后都有一定的延迟，但从本文的介绍中写可以看出，即使是读后立即重写的设计，由于是与数据输出同步进行，并不存在延迟。只有在写操作后进行其他的操作时，才会有这方面的影响。写操作虽然是0延迟进行，但每笔数据的真正写入则需要一个足够的周期来保证，这段时间就是写回周期（tWR）。所以预充电不能与写操作同时进行，必须要在tWR之后才能发出预充电命令，以确保数据的可靠写入，否则重写的数据可能是错的，这就造成了写回延迟。
数据写入时预充电操作时序图（可点击放大）：注意其中的tWR参数，由于它的存在，使预充电操作延后，从而造成写回延迟 |
刷新
之所以称为DRAM，就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是DRAM最重要的操作。
刷新操作与预充电中重写的操作一样，都是用S-AMP先读再写。但为什么有预充电操作还要进行刷新呢？因为预充电是对一个或所有L-Bank中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。但与所有L-Bank预充电不同的是，这里的行是指所有L-Bank中地址相同的行，而预充电中各L-Bank中的工作行地址并不是一定是相同的。
那么要隔多长时间重复一次刷新呢？目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms。我们在看内存规格时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，这里的4096与8192就代表这个芯片中每个L-Bank的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096行时为15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行时就为7.8125μs。
刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于AR， SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为9个时钟周期（PC133标准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms之后则再次对同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新。显然，刷新操作肯定会对SDRAM的性能造成影响，但这是没办法的事情，也是DRAM相对于SRAM（静态内存，无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。
SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入了SR模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。
数据掩码
在讲述读/写操作时，我们谈到了突发长度。如果BL=4，那么也就是说一次就传送4×64bit的数据。但是，如果其中的第二笔数据是不需要的，怎么办？还都传输吗？为了屏蔽不需要的数据，人们采用了数据掩码（Data I/O Mask，简称DQM）技术。通过DQM，内存可以控制I/O端口取消哪些输出或输入的数据。这里需要强调的是，在读取时，被屏蔽的数据仍然会从存储体传出，只是在“掩码逻辑单元”处被屏蔽。DQM由北桥控制，为了精确屏蔽一个P-Bank位宽中的每个字节，每个DIMM有8个DQM信号线，每个信号针对一个字节。这样，对于4bit位宽芯片，两个芯片共用一个DQM信号线，对于8bit位宽芯片，一个芯片占用一个DQM信号，而对于16bit位宽芯片，则需要两个DQM引脚。
SDRAM官方规定，在读取时DQM发出两个时钟周期后生效，而在写入时，DQM与写入命令一样是立即成效。
读取时数据掩码操作，DQM在两个周期后生效，突发周期的第二笔数据被取消（上图可点击放大）
写入时数据掩码操作，DQM立即生效，突发周期的第二笔数据被取消（上图可点击放大）
有关内存内部的基本操作就到此结束，其实还有很多内存的操作没有描述，但都不是很重要了，限于篇幅与必要性，我们不在此介绍，有兴趣的读者可以自行查看相关资料。