金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等
N沟道MOSFET可以理解为在P型基座上刨除两个N型沟道，如下
源极与漏极的特性必须同为N型（即NMOS）或是同为P型（即PMOS）
基座连着栅极G,所以栅极是p, 漏极D（drain）和源极S是N极，下属是N型MOSFET物理符号：
集成电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极（Bulk或是Body）。
上图能看出，栅极G不是P，N结，只是金属极，NOMS基底是P型，通道D/S是N型。通过在栅极加正向（NMOS，加正电压到G极把电子吸引到G极是两个N通道导通）或者负向电压（PMOS，基底是N型，通道D/S 是P型，加负电压把电子推走，吸引空穴到表面形成通道）来使D极和S极导通。
通常把基极和源极接在一起，故分布式MOSFET通常为三端元件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极。
在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是P型
对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让N型半导体的多数载流子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载流子也无法在源极与漏极之间流动。
假设操作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为P型、基体则是N型。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的空穴会被吸引到表面形成通道，半导体的多数载流子—空穴则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载流子在源极和漏极间流动。
一个完整的MOSFET结构需要一个提供多数载流子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载流子的漏极。
箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道 指向 “基极” 端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）；
反之若箭头从 基极 指向 通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
场效应晶体管是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。