flash:Flash，是内存（Memory）的一种，但兼有RAM和ROM, 分为NOR Flash 和 NADN Flash两种不同的flash，分别用在不同的场合，不同于SRAM(EEPROM),FLASH的操作是靠一系列指令完成，以扇区sector进行整体操作
NORflash:主要用来存储代码，常量表，可随机读写，无坏块，成本高，可以以单字节读写，但只能以块进行擦除。。
NANDFLASH:主要用来存数据，不能随机读取，每次只能以页为单位进行读写，以block块（512bytes)为单位擦除用512字节的页和32KB的块为单位，有坏块（初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用，并以冗余块代替,向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。需要通过软件方法避免，EDC/ECC算法避免位交换错误），容量大，成本相对低一点，擦写寿命短。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。、
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少