一、特性：
1、4个内部PLL
2、内部非易失EEPROM.
3、最快400k的I2C串行接口。
4、输入时钟范围：1M—200M。
5、输出时钟范围：4.9k—200M
6、输入晶振参数带有在线可编程负载
晶振参数范围：8M---50M
7、四个独立的VDD0控制器（1.8V—3.3V）
8、每个PLL有一个7bit的分频参数和一个12bit的分频反馈。
9、8bit的输出分频块。
10、一个PLL带小数分频功能。
11、2个PLL支持扩频功能。
12、I/O标准：
--输出：1.8—3.3V LVTTL/LVCMOS
---输入：3.3V LVTTL/LVCMOS
13、可编程转换速率控制。
14、可编程环路带宽。
15、可编程输出倒置去减少双峰抖动。
16、多余的时钟输入可有开发者自动和手动切换操作。
17、启用/禁用独特的时钟输出。
18、断电模式
19、3.3V核电压。
20、合理的VFQFPN 封装
21、工业温度：-40--+85°C。
二、芯片内部视图：
三、管脚视图以及管脚解释：
四、PLL0与其他的分频的差别示意图：
五、编程指导：
1、输入时钟可以被指为主时钟和副时钟。
时钟输入管脚有两个：XIN(晶振)和CLKIN（时钟输入）。这两个时钟可以分别被配制成主时钟和副时钟。
寄存器0XBE—0XC3的：PRIMSRC位决定哪个时钟为主输入时钟。0，则XIN为主，1则CLKIN为主时钟。
两个外部参数时钟可以用CLKSEL管脚手动设置为主副时钟，则此时寄存器0XBE—0XC3的SM位必须设置为”0X”。
使用的晶振应为石英晶振而不是谐波晶振，
当参考时钟是晶振时，则内部负载电容的计算公式为：
当使用外部时钟通过XIN/REF管脚时，不用内部负载电容，允许最大输入频率为200M,
此时XOUT管脚应被悬空，XTAL被编程为00H,XDRV(0X06)被编程为11h,
2、选择功能：SEL[2:0]
IDT5V49支持6个单元配置，用户可以重新编程所有的配置，用SEL[2:0]管脚选择配置，另外用户还可以通过I2C接口来时时配置这些寄存器。
3、SD/OE管脚功能：
SD/OE信号管脚的极性可以被编程为高有效还是低有效，用SP bit位（0x02）.当SP = 0（默认）则高有效。SP = 1，则低有效。
SD/OE管脚可以被配置为关闭PLLS还是启用/禁用输出功能。
OE Mode:OE被设置时，禁止输出。
SD Mode:关于输出和3级管脚的电源关闭检测。
4、配置IO标准：
用户可以配置独立的输出标准从1.8v到3.3V电压，每个输出支持1.8v到3.3V电压。
OUT0仅支持3.3V电压输出。
5、编程时序：
通过编程，可以对IDT5V49做以下四种操作：
写：向IDT5V49的寄存器里写入数据。
读：从IDT5V49的寄存器里读出数据。
保存：将IDT5V49的寄存器的数据全部存储到自带的EEPROM中。
恢复：将数据从IDT5V49的EEPROM中读出再写入IDT5V49的寄存器中。
编程时芯片地址为：
第0bit为读写选择位：R = 1,/W =0;
1、写时序格式：
只要没有停止信号，写操作可以连续，寄存器地址会自动加增加。
2、读时序格式：
注意:如果想读的寄存器不是上次读或写操作的寄存器的下一个寄存器，则可以设置一个已经知道读寄存器地址通过以下命令
（优先编程命令去设置寄存器）优先 进行读取操作：
用户也可以忽略上面的STOP条件，在从机应答位之后，用一个重新开始命令代替。（例如：紧跟一下编程后）
3、保存：
4、恢复：
六、寄存器：
详细参考Datasheet。