1.反相器驱动电容的情形：电容来自于之后的门电路以及导线
P= Vs2/2Rl + CVs2 f 待机功率加上动态功率
用假设值计算，对于1Ghz，108（一个芯片上的门电路数目）门电路，待机功率会达到125Kw ,动态功率为250W
实际功率都在100W作用，因此前面的待机功率一定有问题
如何降低？
2.解决方法;当输入高时，导通时，让RL非常大，开路
当输入低，关断时，Ron开路
NCOMS：栅极电压高时，导通
PCOMS：栅极电压低时，导通
将原来的RL替换成 具有互补性质的PMOS
这种同时具有NMOSFET和PMOSFET的电路结果叫做CMOS。给定电压下，两个管子必定一个导通，一个关闭
在理想情况下，由于没有从电源到地的通路，因此它不消耗待机功率
另一优势：由于导通电阻都很小且比较接近，因此上升下降时间短而且接近
平均功率为 CVs2 f
目前的处理器，电压大约在1-1.5V，频率3-4G赫兹，功率大约就在100W
如果在空闲时间关闭一些功能单元，就可以进一步降低
同时，由于漏电流的存在，因此也存在待机功率