• STM32采集AD的输入阻抗问题


    在做一款消费电子产品时,需要采集电池电压(3.3V-4.2V),同时在休眠的时候希望尽量减小待机电流。电池电压采集电路采用两个1%的300K电阻进行分压,由该电路引起的待机电路为4.2/(300+300)mA=7uA.此时比较合理(整机的待机电流要求30uA以内)。

      初始设计电路如下:

      

      在编程采集数据时发现测试电压与实际电压有偏差,测试值总比实际值偏小一点。在软件上做补偿,把值修正了。

      但是换一个板子测试的时候发现测试的电压又不准了,此时知道通过软件补偿这种方法行不通。那么只能从硬件找原因。

      查找datasheet发现AD的输入阻抗最大只有50KΩ。

      

        图中RAIN:外部输入阻抗,STM32芯片中这个值最大为50KΩ;

          RADC:采样开关电阻,最大值为1KΩ;

          CADC:内部采样和保持电容,最大值为8pF.

      在ADC数据采集的时候需要有电流流入,那么RAIN会产生一个压降。阻容网络中的RADC和CADC上,对电容的充电由RADC控制。随着源电阻(RADC)的增加,对保持电容的充电时间也相应增加。

      对CADC的充电由RAIN+RADC控制,因此充电时间常数为tc = (RADC + RAIN) × CADC。如果时间过短,ADC转换的数值会小于实际值。

      通过以上数据知道,采集精度跟采集时间和输入阻抗有关。但是通过计算得知,如果输入阻抗为300KΩ,那么充电时间约为2.4uS。在软件上把采样周期调到最大(ADC_SampleTime_239_5Cycles,频率为12M,时间19.9uS),还是存在误差。说明此时跟周期不是主要原因。

      问题出在输如阻抗大于IC里ADC允许的最大阻抗。充电时电流分两路,一路经过R1到R2到地,还有一路经过R1流入MCU的AD接口。(不知是不是IO口会有一定的漏电流到地,IL)此时相当于在R2旁边并了一个电阻到地,检测点的电压不是标准的1/2Vbat.

      那么为了更准确地检测电池电压,那么只好把电阻改小。如果选两个50K的电阻,那么此处带来的电流会后42uA.所以在电路上做了个调整:

      

      原来接地的地方改接到一个IO口,在需要检测的时候输出低电平,不需要的时候输出高电平。然后分压电阻使用两个30K的问题得到解决,电压检测误差小于0.02V,待机电流比原来的还小了几个微安。

    引文来自:https://www.cnblogs.com/zjh-x/p/6617712.html

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  • 原文地址:https://www.cnblogs.com/duwenqidu/p/10943085.html
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