[国嵌攻略][054][NandFlash驱动设计_写]

Nand Flash支持按页写和随机写两种方式，在下面实现的是按页写。闪存在写数据时，只能写入1，不能写入0，所以写函数必须和擦除函数一起使用，并且擦除函数是按块擦除。

/********************************************************************
*名称:write_page_flash
*参数:
*	page   页号
*	buf    写缓存，2048字节
*返回:
*	state  成功:0
*	       失败:1
*功能:按页写闪存
*********************************************************************/
int write_page_flash(unsigned long page, unsigned char *buf){
	int i;   //循环计数器
	int state;   //写入状态，0表示成功，1表示失败

	//选中闪存芯片
	NFCONT &= ~(1<<1);   //设置Reg_nCE:0
	
	//清除忙信号
	NFSTAT |= (1<<2);    //设置RnB_TransDetect:0

	//发送写命令(0x80)
	NFCMMD = 0x80;
	
	//发送列地址（页内偏移）
	NFADDR = 0x00;   //Col.Add1，按页写忽略页内偏移
	NFADDR = 0x00;   //Col.Add2
	
	//发送行地址（页号）
	NFADDR = (page>>0)&0xFF;    //Row.Add1
	NFADDR = (page>>8)&0xFF;    //Row.Add2
	NFADDR = (page>>16)&0xFF;   //Row.Add3
	
	//写入数据
	for(i = 0; i < PAGE_SIZE; i++){
		NFDATA = buf[i];   //注意，NFDATA寄存器数据类型要和buf匹配，一个写周期写入一个字节
	}
	
	//发送写命令(0x10)
	NFCMMD = 0x10;
	
	//等待忙信号
	while( !(NFSTAT&(1<<2)) );   //当RnB_TransDetect等于1时，结束循环
	
	//发送读状态命令(0x70)
	NFCMMD = 0x70;
	
	//读取状态
	state = NFDATA&0x00000001;   //取出数据端口I/O的0位，否则返回随机值
	
	//释放闪存芯片
	NFCONT |= 1<<1;   //设置Reg_nCE:1
	
	return state;
}

/********************************************************************
*名称:erase_block_flash
*参数:
*	page   页号
*返回:
*	state  成功:0
*	       失败:1
*功能:按块擦除闪存。提供页的地址，擦除所在的块。
*********************************************************************/
int erase_block_flash(unsigned long page){
	int state;   //写入状态，0表示成功，1表示失败
	
	//选中闪存芯片
	NFCONT &= ~(1<<1);   //设置Reg_nCE:0
	
	//清除忙信号
	NFSTAT |= (1<<2);    //设置RnB_TransDetect:0

	//发送擦除命令(0x60)
	NFCMMD = 0x60;
	
	//发送行地址（页号）
	NFADDR = (page>>0)&0xFF;    //Row.Add1
	NFADDR = (page>>8)&0xFF;    //Row.Add2
	NFADDR = (page>>16)&0xFF;   //Row.Add3
	
	//发送擦除命令(0xD0)
	NFCMMD = 0xD0;
	
	//等待忙信号
	while( !(NFSTAT&(1<<2)) );   //当RnB_TransDetect等于1时，结束循环
	
	//发送读状态命令(0x70)
	NFCMMD = 0x70;
	
	//读取状态
	state = NFDATA&0x00000001;   //取出数据端口I/O的0位，否则返回随机值
	
	//释放闪存芯片
	NFCONT |= 1<<1;   //设置Reg_nCE:1

	return state;
}