[AVR]高压并行编程---基础知识

手一抖就锁了好几片Mega16，这可是几十块钱啊...有必要造一个高压并行编程器了

一、接线方式及端口定义

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• RDY/BSY 判忙标志位。(0:设备正忙 1:等待新的命令)
• OE 输出使能位 低电平有效
• WR 写脉冲 低电平有效
• BS[2:1] 字节选择1（0:选择低位字节 1:选择高位字节)
• XA[1:0] XTAL动作位
  • 00加载Flash或者EEPROM地址
  • 01加载数据
  • 10加载命令
  • 11保留
• PAGEL 加载程序存储器和EEPROM数据页
• DATA 双向数据/命令口
  • 0x80 芯片擦除
  • 0x40 写熔丝位
  • 0x20 写锁定位
  • 0x10 写FLASH
  • 0x11 写EEPROM
  • 0x08 读标示字节和校准字节
  • 0x04 读熔丝位及锁定位
  • 0x02 读FLash
  • 0x03 读EEPROM接线方式及端口定义

二、进入编程模式

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方案一:

1. 在 VCC 及GND 之间提供4.5 - 5.5V 的电压
2. 将RESET 拉低，并至少改变XTAL1 电平6 次
3. 将PAGEL，XA1，XA0，BS1全部置0
4. 给RESET提供11.5-12.5V的电压

方案二:(使用外部晶体或RC振荡器)

1. 将PAGEL，XA1，XA0，BS1全部置0
2. 在VCC 与GND 间提供电压4.5 - 5.5V 同时在RESET 上提供11.5 - 12.5V 电压
3. 等待100 ns。
4. 对熔丝位重编程，保证外部时钟源作为系统时钟(CKSEL3:0 = 0b0000)。如果锁
   定位已编程，在改变熔丝前必须执行芯片擦除指令。
5. 通过降低器件功率或置RESET 引脚为0b0 来退出编程模式。
6. 然后使用方法一进入编程