- 电源供给方案
>>只有当VDDA >= 2.4V时，ADC才能工作；
>>只有当VDDA >= 2.7V时，USB才能工作。
VBAT = 1.8~3.6V：
>>当VDD 断电时，VBAT 为备份区域提供电源。
电源引脚的连接：
>>VDD 和VDDA 必须连接到同一个电源；
>>VSS 、VSSA 和VREF- 必须连接到地线；
>>2.4V <= VREF+ <= VDDA
>>VREF+ 和VREF- 仅在LQFP100封装上有，在其他封装上他们连接到内部对应的VDDA 和VSSA 。
>>只有当VDDA >= 2.7V时，USB才能工作。
VBAT = 1.8~3.6V：
>>当VDD 断电时，VBAT 为备份区域提供电源。
电源引脚的连接：
>>VDD 和VDDA 必须连接到同一个电源；
>>VSS 、VSSA 和VREF- 必须连接到地线；
>>2.4V <= VREF+ <= VDDA
>>VREF+ 和VREF- 仅在LQFP100封装上有，在其他封装上他们连接到内部对应的VDDA 和VSSA 。
- 上电复位（POR）/掉电复位（PDR）
内部包含有一个综合了POR/PDR电路，这保证当电源不处于产品正常运行的电压范围(2V~3.6V)时，该电路将产生一个适当的复位。无需外部复位电路在POR和PDR之间有40mV滞后。
- 可编程电压检测器（PVD）
通过设置PWR_CR的PVDE位来使能；
使用PWR_CR中的PLS[2:0]位来设定监控电压的门限，通过与设定门限电压比较来监控VDD 电源；
门限值：2.2V~2.9V，步进值：0.1V；
当VDD 降到门限电压以下、或上电时VDD 上升到门限电压（PWR_CSR的PVD0位表明该状态），与此信号向量的外部中断线16（如果开启）将产生中断。
>>可以用于长生警告信息、和/或将MCU运行安全状态。
- 备份区域
备份区域包含：
RTC（计数器、分频器和报警机制）用于RTC的独立的32KHz的振荡器（LSE）10个16位的用户被封寄存器RCC的BDSR寄存器：RTC时钟源的选择和使能+LSE设置
>>只有备份区域的复位信号才能复位该区域。
VBAT 独立供电
当系统VDD 低于PDR电压时，将自动切换到VBAT ；
当时用VDD 时，VBAT 上无电流损失。
防入侵检测：复位所有用户的备份寄存器
可设置级别：低/高可设置产生中断
- 低功耗模式
STM32F10x低功耗模式：使用CortexM3的睡眠模式。 睡眠、停止和待机模式 在停止和待机模式下，复位电路、POR/PDR处于激活状态。
睡眠、停止和待机模式
在停止和待机模式下，复位电路、POR/PDR处于激活状态。
由于存在静态功耗(如电压调节器、振荡器、 Flash)，在低频率下mA/MHz有点偏高。
代码在SRAM里执行时的功耗比在Flash里低。
- 低功耗模式 --- 睡眠模式
内核停止、外设继续运行。通过执行特殊的指令(WFI/WFE)进入该模式；Cortex-M3控制寄存器的中SLEEPONEXIT位决定进入该模式的机制：
Sleep-Now(SLEEPONEXIT为0)：当执行WFI/WFE指令时，MCU立即进入睡眠模式。
Sleep-on-Exit(SLEEPONEXIT为1)：当从优先级最低的中断向量里退出时，MCU进入睡眠模式。
退出睡眠模式：
WFI(等待中断)
任意可被可嵌套向量的中断控制器(NVIC)确认的外设中断。
WFE(等待事件)
在事件模式下，一个在外设控制寄存器中可设置为中断使能的事件，但是不未在NVIC中使能，或设为事件模式的外部中断线的事件。
无时间损失在进入/退出上。
为了降低功耗，用户可在进入睡眠模式前关闭不工作的外设时钟。
- 低功耗模式 --- 停止模式
在以下条件下执行WFI或WFE指令进入停止模式：
1. 设置Cortex-M3系统控制寄存器中的SLEEPDEEP位；2. 清除电源控制寄存器（PWR_CR）中的PDDS位；3. 通过设置PWR_CR中LPDS位选择电压调节器的模式。
所有外设时钟、PLL、HSI和HSE都被关闭，保留SRAM和寄存器内的内容。如果RTC和IWDG正在运行，进入停止模式时该外设不会停止(包括时钟)。可将电压调节器设置为低功耗模式，以降低功耗；退出停止模式：
以WFI指令进入时：任意设置为中断模式的外部中断线（相应的中断须在NVIC中使能）；以WFE指令进入时：任意设置为事件模式的外部中断线；
从停止模式恢复后，时钟的配置返回到复位时的状态(系统时钟为HSI)。
- 低功耗模式 --- 待机模式
在以下条件下执行WFI指令：
1. 设置Cortex-M3系统控制寄存器中的SLEEPDEEP位；2. 设置电源控制寄存器(PWR_CR)中的PDDS位；3. 清除电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)中的WUF位。
电压调节器关闭、整个1.8v区域断电。除了备份区域和待机电路的寄存器以外，SRAM和寄存器的内容全部丢失；在待机模式下，RTC和IWDG（如果开启）继续运行；除了以下情况，待机模式下所有IO口处于高阻状态：
复位引脚(始终有效)；防侵入引脚(若被置为检测侵入或校准)；唤醒引脚，如果使能。
唤醒源：
唤醒引脚的上升沿RTC警告复位引脚外部复位信号IWDG复位
