最近，在b站上搜一些以前没太理解清楚的概念，看一看视频讲解，发现像找到了宝一样。
特别是国外制作的一些科普视频，通过动画展示，真的有一种恍然大悟的感觉。
下面我对学到的东西做一个梳理。
一、电子器件的发展
总的来说：电子管 - 晶体管 - 集成电路
战争很残忍，但从客观上说推动了科技的发展。
二、二极管的原理
在理解二极管原理之前，首先应了解如下几个知识点：
1）物质由分子构成，分子由原子构成，原子由原子核与核外电子组成。
原子核由质子和中子组成，质子带正电荷，中子不带电荷。
核外电子是负电荷，负电荷数目与质子带的正电荷数目相等，一个原子呈现电中性。
2）单个原子大都是不稳定的，通常核外会失去电子或得到电子从而达到稳定态，
表现形式为与其他的原子结合构成分子。
3）原子核质量比较大，一般不会移动，移动的都是核外电子。
车子的移动构成车流，类似，电子的移动形成电流。
要注意的是，电流的方向与电子移动的方向相反，电流的方向只是人为规定的。
4）导体，半导体与绝缘体。
像金属，金属原子核外最外圈一般都是一个或两个电子，这些电子容易脱离原子核的束缚。
给金属加上电势，电子受到电场力，移动就形成了电流。所以金属是良好的导体。
而对于一些物质，加上电势后，电子很难发生移动，这些物质就是绝缘体。
像硅这类原子，核的最外层有4点电子，导电性能介于导体与绝缘体之间，称为半导体。
5）掺杂
给硅中加入磷（P）原子，磷外有5个电子，磷与硅结合稳定后，会有一个多余的电子，掺杂物质被称为N型半导体。
但要注意的是，N型半导体还是电中性，因为质子电荷数与核外电荷数还是相等的。
给硅中加入硼（B）原子，硼最外层有3个电子，硼与硅结合稳定后，会有一个空穴，掺杂物质被称为P型半导体。
6）PN结
P型半导体与N型半导体拼在一起，电荷将产生扩散运动。
即N型半导体内的电子扩散到P型半导体内，P型半导体内的空穴也相对扩散到N型半导体内。
与此同时，P型半导体带负电，N型半导体带正电，两半导体交界处形成一个电场，
这个电场将会阻碍电荷的移动。
此时，给两半导体两端加上一个电势，
电势的方向若与电场的方向相同，阻碍作用只会增大，电荷不会产生移动，这种电势叫做反向电势；
电势的方向若与电场的方向相反，但电势的电场强度大于原来的电场，电荷将会被吸引，形成电流，这种电势称为正向电势。
二极管便是根据这种效应，形成单向导电性。
三、三极管的原理
三极管由三个半导体组成：N型半导体|P型半导体|N型半导体或P型半导体|N型半导体|P型半导体。
这三块半导体分别有一个名称：集电极c，基极b与发射极e。
对于一个三极管，三个极的掺杂浓度是不同的，发射极掺杂浓度高，基极掺杂浓度低而且比较薄，集电极掺杂浓度也低但体积大。
集电极与基极之间形成一个结称为集电结，发射极与基极之间形成一个结称为发射结。
给发射结加上正偏电压，给集电结加上反向电压，管子就导通了。
四、MOS管的原理
MOS管全称是MOSFET，即金属氧化物场效应晶体管。
MOS管的三个级分别为：源极（S），漏极（D）与栅极（G）。
栅极是一块导电极板，极板下面是一块金属氧化物，氧化物作为绝缘物质。
拿N沟道MOS管为例，给栅极加上正电势，由于电场力的作用，栅极下面将聚集大量负电荷，相当于一个通道。
漏极与源极都是N型半导体，在电势的作用下，电子便发生了移动，管子导通。
五、三极管与MOS管的一些区别
MOS管是电压型控制器件，BJT是电流型控制器件。
MOS管导通时栅极没有电流，BJT导通时基极有电流。