LDO选型注意事项
整理者:ZHOU 邮箱:zjvskn@gmail.com 最后更新 20220823
计算方法一
PD=热散耗功率 Power dissipation
PD = (Vin - Vout)x Iout + Vin x Iq(静态电流) ;
PDmax = ( TJmax - TA ) / θJA ;(其中TJmax是最大工作温度 ,TA 是ambient temperature 即环境温度 ; θJA 是 the junction to ambient thermal resistance 即结到环境的热阻,SOT23-5封装的θJA是 195°C/W )
例如以L7805C TO252-3(DPAK)为例 Tjmax=0--125℃ TA=25℃ θJA=100℃
PDmax=(125-25)/100=1W
假设5V转3.3V,电流要求300mA
1.计算热功率
2.选取合适封装
PD=(5-3.3)x300mA+5X0.8mA=514mW=0.514W小于1W 正常可以使用
计算方法二
TJ(芯片结温)=QJA(热阻)XPd(功耗)+TA(环境温度)
例如以L7805C TO252-3(DPAK)为例 Tjmax=0--125℃ TA=25℃ θJA=100℃
假设5V转3.3V,电流要求300mA
TJ=100*(5-3.3)*0.3+25=76摄氏度 小于125℃
注意温度和电流对压降的影响
以HT7333-3为例 使用不能超出用电IC的电压范围