S3C2440 存储控制器(memory controller)提供了訪问外部设备所需的信号，这是一种通过总线形式来訪问扩展的外设。
S3C2440 的存储器控制器有下面的特性：
- 支持小字节序、大字节序(通过软件选择)
- 每一个BANK的地址空间为128MB。总共1GB(8 BANKs)
- 可编程控制的总线位宽(8/16/32 -bit)。只是 BANK0 仅仅能选择两种位宽(16/32 -bit)
- 总共8个BANK。 BANK0 ~ BANK5 能够支持外接 ROM，SRAM等，BANK6 ~ BANK7 除能够支持 ROM，SRAM外，还支持SDRAM等；
- BANK0 ~ BANK6 共7个BANK的起始地址是固定的。
- BANK7 的起始地址是可编程选择；
- BANK6、BANK7的地址空间大小是可编程控制的。
- 每一个BANK的訪问周期均可编程控制。
- 能够通过外部的”wait“ 信号延长总线的訪问周期。
- 在外接SDRAM时。支持自刷新(self-refresh)和省电模式(power down mode)。
这样。每一个 nGCSx 相应 128MB 地址空间，8个 nGCSx
信号总共就相应了 1GB 的地址空间。这8个 BANK的地址空间如图：
除去上述用于连接外设的 1GB 地址空间外。另一部分是 CPU 内部寄存器的地址，剩下的地址空间没有使用。
注意：这里说的是物理地址。
如图：
@************************************************************************* @ File：head.S @ 功能：设置SDRAM，将程序拷贝到SDRAM，然后跳到SDRAM继续运行 @************************************************************************* .equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000 .equ SDRAM_BASE, 0x30000000 .text .global _start _start: bl disable_watch_dog @ 关闭看门狗 bl memsetup @ 设置存储控制器 bl copy_steppingstone_to_sdram @ 复制代码到SDRAM中 ldr pc, =on_sdram @ 跳到SDRAM中继续运行 on_sdram: ldr sp,=0x34000000 @ 设置堆栈 bl main halt_loop: b halt_loop disable_watch_dog: @ 往 WATCHDOG 寄存器写0 就可以 mov r1, #0x53000000 mov r2, #0x0 str r2, [r1] mov pc, lr @返回 copy_steppingstone_to_sdram: @ 将Steppingstone的4K数据所有拷贝到SDRAM中 @ Steppingstone起始地址为 0x00000000。SDRAM中起始地址为 0x30000000 mov r1, #0 ldr r2, =SDRAM_BASE mov r3, #4*1024 1: ldr r4, [r1],#4 @ 从Steppingstone读取4字节的数据，并让源地址加4 str r4, [r2],#4 @ 将此4字节的数据拷贝到SDRAM中，并让目地地址加4 cmp r1, r3 @ 推断是否完毕：源地址等于 Steppingstone 的末地址 bne 1b @ 若没有复制完，继续 mov pc, lr @ 返回 memsetup: @ 设置存储控制器以便使用 SDRAM 等外设 mov r1, #MEM_CTL_BASE @ 存储控制器的13个寄存器的開始地址 adrl r2, mem_cfg_val @ 这13个值的起始存储地址 add r3, r1, #52 @ 13*4 = 52 1: ldr r4, [r2], #4 @ 读取设置值。并让 r2 加 4 str r4, [r1], #4 @ 将此值写入寄存器，并让 r1 加 4 cmp r1, r3 @ 推断是否设置完所有13个寄存器 bne 1b @ 若没有写成，继续 mov pc, lr @ 返回 .align 4 mem_cfg_val: @ 存储控制器 13 个寄存器的设置值 @ 存储控制器共同拥有 13 个寄存器。 @ BANK0 ~ BANK5 仅仅须要设置 BWSCON 和 BANKCONx(x为0~5)两个寄存器： @ BANK6、BANK7 外接SDRAM时，除 BWSCON 和 BANKCONx(x为6~7)外，还要设置 @ REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7 等4个寄存器。@ 位宽和等待控制寄存器 BWSCON (BUS WIDTH & WAIT CONTROL REGISTER) @ BWSCON 中每4位控制一个 BANK。最高4位相应 BANK7、接下来4位相应 BANK6，依此类推 @ STx：启动/禁止 SDRAM 的数据掩码引脚，对于 SDRAM，此位为0。对于 SRAM。此位为 1 @ WSx：是否使用存储器的 WAIT 信号，通常设为 0 @ DWx：使用两位来设置相应 BANK 的位宽， 0b00 相应8位。 0b01 相应16位。0b10 相应32位，0b11表示保留 @ 比較特殊的是 BANK0。它没有 ST0 和 WS0。DW0([2:1])仅仅读---由硬件跳线决定： @ 0b01 相应16位，0b10 相应32位。BANK0 仅仅支持16、32两种宽度 @ 对于本开发板(JZ2440)。能够确定 BWSCON 寄存器的值为： 0x22011110 .long 0x22011110 @ BWSCON @ BANK 控制寄存器 BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER, x 为 0~5) @ 这几个寄存器用来控制 BANK0 ~ BANK5 外接设备的訪问时序，使用默认的 0x0700 就可以 .long 0x00000700 @ BANKCON0 .long 0x00000700 @ BANKCON1 .long 0x00000700 @ BANKCON2 .long 0x00000700 @ BANKCON3 .long 0x00000700 @ BANKCON4 .long 0x00000700 @ BANKCON5 @ BANK 控制寄存器 BANKCONx(BANK CONTROL REGISTER, x 为 6~7) @ 在8个BANK中，仅仅有BANK6和BANK７能够外接SRAM或SDRAM， @ 所以BANKCON6 ~ BANKCON7 与 BANKCON0 ~ BANKCON5 有点不同 @ MT([16:15]) 用于设置本 BANK 外接的是 ROM/SRAM 还是 SDRAM。 @ MT=0b00 时，此寄存器与 BANKCON0 ~ BANKCON5 相似。
(外接SRAM) @ MT=0b11 时，此寄存器其他值例如以下设置。(外接SDRAM) @ Trcd([3:2]) RAS to CAS delay，设置推荐值为 0b01 @ SCAN([1:0]) SDRAM 的列地址位数。对于本开发板使用的 SDRAM K4S561632， @ 列地址位数为 9。 所以 SCAN = 0b01。假设使用其他型号的 SDRAM， 须要查看其数据手冊来决定 SCAN 的取值。
@ 0b00 表示8位， 0b01 表示9位， 0b10 表示10位 @ 综上所述，本开发板中 BANKCON6/7 均设为 0x00018005 .long 0x00018005 @ BANKCON6 .long 0x00018005 @ BANKCON7 @ 刷新控制寄存器 REFRESH(REFRESH CONTROL REGISTER): 设为 0x008C0000 + R_CNT @ REFEN([23]) 0 = 禁止 SDRAM 的刷新功能。 1 = 开启 SDRAM 的刷新功能 @ TREFMD([22]) SDRAM 的刷新模式。
0 = CBR/Auto Refresh， 1 = Self Refresh(一般在系统休眠时使用) @ Trp([21:20]) 设为 0 就可以。 @ Tsrc([19:18]) 设为默认值 0b11 就可以。
@ Refresh Counter([10:0]) 即上述的 R_CNT @ R_CNT 可例如以下计算 (SDRAM 时钟频率就是 HCLK) @ R_CNT = 2 ^ 11 + 1 - SDRAM 时钟频率(MHz) * SDRAM 刷新周期 (uS) @ SDRAM 的刷新周期在 SDRAM 的数据手冊上有标明，在本开发板使用的 SDRAM K4S561632 的数据手冊上， @ 可看见这么一行 "64 ms refresh period (8K Cycle)" @ 所以。刷新周期 = 64ms/8192 = 7.8125 us @ 在未使用 PLL 时， SDRAM 时钟频率等于晶振频率 12 MHz @ 如今能够计算： R_CNT = 2 ^ 11 + 1 - 12 * 7.8125 = 1955 @ 所以，在末使用 PLL 时， REFRESH = 0x008C0000 + 1955 = 0x008C07A3 .long 0x008C07A3 @ REFRESH @ BANKSIZE 寄存器 REFRESH (BANKSIZE REGISTER) @ BURST_EN([7]) 0 = ARM 核禁止突发传输。 1 = ARM 核支持突发传输 @ SCKE_EN([5]) 0 = 不使用 SCKE 信号令 SDRAM 进入省电模式。 1 = 使用 SCKE 信号令 SDRAM 进入省电模式 @ SCLK_EN([4]) 0 = 时刻发出 SCLK 信号， 1 = 仅在訪问 SDRAM 期间发出 SCLK 信号 @ BK76MAP([2:0]) 设置 BANK6/7 的大小 @ BANK6/7 相应的地址空间与 BANK0~5 不同。 BANK0~5 的地址空间大小都是固定的 128MB， @ 地址返回是 (x*128M) 到 (x+1)*128M-1。 x表示 0 到 5。BANK6/7 的大小是可变的， @ 以保持这两个空间的地址连续，即 BANK7 的事实上地址会随它们的大小变化。BK76MAP 的取值意义例如以下： @ 0b010 = 128M/128M @ 0b001 = 64MB/64MB @ 0b000 = 32MB/32MB @ 0b111 = 16MB/16MB @ 0b110 = 8MB/8MB @ 0b101 = 4M/4M @ 0b100 = 2M/2M @ 本开发板 BANK6 外接64MB的 SDRAM。 令[2:0]=0b001 (64MB/64MB) @ 表示 BANK6/7 的容量都是64MB。尽管 BANK7 没有使用 @ 综上所述。本开发板 BANKSIZE 寄存器的值可算得 0xB1 .long 0x000000B1 @ BANKSIZE @ SDRAM 模式设置寄存器 MRSRBx (SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER, x为6~7) @ 能改动的仅仅有位 CL([6:4])，这是 SDRAM 时序的一个时间參数： @ 0b000 = 1 clocks， 0b010 = 2 clocks。 0b011 = 3 clocks @ SDRAM K4S561632 不支持 CL = 1的情况，所以位[6:4]取值为 0b010 或 0b011 。
@ 本开发板取最保守的值 0b011， 所以 MRSRB6/7 的值为 0x30 .long 0x00000030 @ MRSRB6 .long 0x00000030 @ MRSRB7
// leds.c
#define GPFCON (*(volatile unsigned long *)0x56000050)
#define GPFDAT (*(volatile unsigned long *)0x56000054)
#define GPF4_out (1<<(4*2))
#define GPF5_out (1<<(5*2))
#define GPF6_out (1<<(6*2))
void wait(volatile unsigned long dly)
{
for(; dly > 0; dly--);
}
int main(void)
{
unsigned long i = 0;
GPFCON = GPF4_out|GPF5_out|GPF6_out; // 将LED1,2,4相应的GPF4/5/6三个引脚设为输出
while(1){
wait(30000);
GPFDAT = (~(i<<4)); // 依据i的值，点亮LED1,2,4
if(++i == 8)
i = 0;
}
return 0;
}
#Makefile sdram.bin : head.S leds.c arm-linux-gcc -g -c -o head.o head.S arm-linux-gcc -g -c -o leds.o leds.c arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 -g head.o leds.o -o sdram_elf arm-linux-objcopy -O binary -S sdram_elf sdram.bin arm-linux-objdump -D -m arm sdram_elf > sdram.dis clean: rm -f sdram.dis sdram.bin sdram.dis *.o